Очень часто при выборе комплектующих мы сталкиваемся с различными непонятными терминами и понятиями. При выборе оперативной памяти это может быть DDR, DDR2, DDR3, DDR4, RDRAM, RIMM и т.п. Если с основными типами ОЗУ всё более-менее понятно, а поддержка каждого типа указана в описании к материнской плате, то такой параметр, как ECC у многих вызывает некоторые вопросы. Что такое ECC-память? Можно ли использовать ECC оперативку на домашнем компьютере и в чём главное отличие ECC RAM и non-ECC RAM?
Что такое ECC-память?
Это особый вид оперативной памяти со встроенными аппаратными средствами коррекции ошибок. Подобные модули памяти были разработаны специально для серверов, где требования к корректности данных и надёжности их обработки значительно выше чем на персональных компьютерах.
ECC-Ram автоматически распознаёт спонтанные изменения данных в блоках хранения, то есть возникшие ошибки. Обычная — десктопная память без поддержки механизмов коррекции называется non-ECC.
На что способна ECC-память и как это работает?
Память с коррекцией ошибок может определить и исправить 1 бит изменённых данных в каждом машинном слове. Что это значит? Если данные между записью и чтением были по каким-либо причинам изменены (то есть возникла ошибка), то ECC ОЗУ скорректирует значение до верного. Подобная функциональность требует поддержки со стороны контроллера оперативной памяти. Эта поддержка может быть организована со стороны чипсета материнской платы, встроенного контроллера ОЗУ в современные процессоры.
Алгоритм исправления ошибок основан на коде Хэмминга, но для исправления более одной ошибки применяются прочие алгоритмы. На практике используются модули памяти, где для каждых 8 микросхем памяти добавляется ещё по одной микросхеме, хранящей ECC-коды (8 бит на каждые 64 бита основной памяти).
Почему искажается значение в ячейках памяти RAM?
Одна из основных причин искажения данных — космические лучи. Хотя мы находимся на Земле под защитой атмосферы, космические лучи несут с собой некие элементарные частицы, способные влиять на электронику, в том числе, на компьютерную память. Под действием энергии этих частиц возможно изменение состояния ячейки памяти, что ведёт к искажению данных и возникновению ошибок. Интересно, что воздействие космических лучей увеличивается с ростом высоты, поэтому компьютерные системы, находящиеся на большой высоте требуют лучшей защиты.
Как работает память с поддержкой ECC
Один из механизмов контроля ошибок в оперативной памяти — использовать технологию контроля чётности, что позволяет фиксировать факт возникновения ошибки в данных, но не позволяет скорректировать данные.
Для ECC коррекции используется код Хэмминга. ECC защищает компьютерные системы от некорректной работы в связи с порчей памяти и снижает вероятность критического отказа системы. Память с поддержкой ECC работает на 2-3 % медленнее чем non-ECC в зависимости от приложений.
Причины использовать ЕСС-память
Объективных причин использовать оперативную память с поддержкой ECC в настольных компьютерах нет. Так как вероятность возникновения ошибок данных крайне мала, то в обычных сценариях использования ПК крайне маловероятно, что возникновение ошибки приведёт к возникновению проблем или критических сбоев в работе ПК. Самый страшный сценарий — появление синего экрана смерти BSOD. Кроме того, использование ECC-ОЗУ затруднено тем, что настольные процессоры и материнские платы в своём большинстве не поддерживают данный тип оперативной памяти.
Использование оперативки с коррекцией ошибок ECC актуально для сервером и корпоративного сегмента, где требования к отказоустойчивости и надёжности очень высоки, а корректность данных может влиять на результаты вычислений и работу системы в целом.
| Как Вам? - |
Существуют микросхемы, в которых регистр объединен с входным мультиплексором, позволяющим принимать входные данные с двух и более направлений, выбираемых сигналами на адресных входах микросхемы. Объединяют регистр и с выходным демультиплексором, позволяющим передавать содержимое регистра на различные направления.
Сразу несколько регистров содержат микросхемы регистровой памяти (register memory, register file, сверхоперативная память). Входы Di регистров подключены к общей входной шине данных (data in). Вход загрузки требуемого регистра выбирается дешифратором записи на основании поступающего на его вход адреса записи (write address), т. е. кода номера загружаемого регистра. Запись данных, присутствующих на шине, происходит в момент поступления сигнала разрешения записи (write enable).
Выходы регистров мультиплексором подключаются к выходной шине (data out). Номер регистра, с которого происходит чтение, определяет код адреса чтения (read address). Выдачу данных разрешает сигнал разрешения чтения (read enable).
Поскольку дешифрация адреса записи и адреса чтения производится двумя независимыми узлами, имеющими автономные адресные входы, регистровая память может одновременно записывать число в один из регистров и читать число из другого.
Микросхемы регистровой памяти легко наращиваются по разрядности и допускают наращивание по числу регистров. Они разработаны для построения блоков регистров общего назначения (РОН) и других специализированных блоков памяти небольшого объема, предназначенных для временного хранения исходных данных и промежуточных результатов в цифровом устройстве.
По мере увеличения числа регистров памяти разработчики отказываются от независимой адресации регистров при записи и чтении. Остается лишь один комплект адресных входов и один дешифратор адреса, которые используются и при записи, и при считывании. Такую схему регистровой памятью уже не называют. По ЕСКД она обозначается RAM (random access memory, т. е. память с произвольным доступом). Используются также термины: запоминающее устройство с произвольной выборкой (ЗУПВ), оперативное запоминающее устройство (ОЗУ), оперативная память, а иногда - просто память. В микросхемах ЗУПВ ввод и вывод данных при записи и чтении могут осуществляться через одни и те же выводы корпуса за счет использования в тракте считывания элементов с тремя состояниями выхода или с открытым коллектором. Режимы работы микросхемы запись, чтение и хранение задаются комбинациями сигналов на ее входах управления. Если для ввода данных при записи и вывода их при чтении используются различные выводы корпуса (входы D i и выходы Q i), то режим хранения может быть совмещен с режимом чтения.
Микросхемы ОЗУ малой емкости часто выпускаются в составе распространенных серий. Они имеют входы адреса А j , входы данных D i ; вход режима W/R: запись или чтение; выходы данных Q i ; вход (или несколько конъюнктивных входов) разрешения Е, чаще называемый выбор кристалла ВК, выбормикросхемы ВМ или CS (chip select). Такую микросхему можно рассматривать как группу регистров, дешифратор для их выборки, цепи записи в регистры и считывания с них. Примерами подобных ИМС могут служить К155РУ2 емкостью 16х4 (16 слов по 4 разряда), К537РУ8 – 2Кх 8. Такие ОЗУ принято называть статическими. Наращивание разрядности и числа хранимых слов производится, как и в случае ПЗУ.
Микросхемы ЗУПВ большей емкости выпускают уже в составе определенных серий БИС памяти. Часто такие микросхемы имеют временную диаграмму с большим числом регламентированных интервалов, адрес может подаваться по частям, есть микросхемы, требующие регенерации хранимых данных (динамические ОЗУ - раздел 5).
Как известно, одним из самых главных требований к модулю памяти (впрочем, как и к любому другому устройству) является максимальная отказоустойчивость стабильное функционирование без сбоев и ошибок в течение как можно большего непрерывного промежутка времени. Модули памяти класса PC Registered DIMM разработаны специально для обеспечения максимальной отказоустойчивости подсистемы памяти. Кроме этого они предоставляют два отдельных режима функционирования, оптимизации доступа к микросхемам памяти и выполнения операций, речь о которых пойдет далее.
Вся последующая информация, касающаяся топологии печатной платы (PCB Printed Circuit Board), а также рекомендаций и требований по разводке PCB, является базовой и может быть применена при рассмотрении не только конкретных типов модулей памяти, а и любых периферийных устройств, работающих на больших частотах общая разница минимальна. Отличия во временных параметрах, отдельных монтируемых компонентах (типа специфических микросхем), используемых конкретных топологических схемах и геометрии сигнальных линий исключительно численные и зависят от типа устройства и схемы согласования, применяемых в данных модулях памяти.
В настоящей статье довольно подробно описаны как основные отличительные особенности модулей памяти типа Registered DIMM, так и требования к разводке сигнальных трасс на печатной плате, включая узкоспециализированную информацию о монтируемых компонентах, которая может быть полезна для более детального ознакомления со спецификацией. Кажущуюся на первый взгляд слишком специфической информацию просто необходимо дать, чтобы (по мере возможности) отпали многочисленные возникающие вопросы о нестабильности работы как модулей памяти в целом, так и вообще устройств. Важно, чтобы читатель понял сложность разработки и реализации конечных продуктов такого уровня, как описываемые далее модули Registered DIMM, что поможет сузить в некоторых случаях круг поиска либо необходимого оборудования, либо причины возможных проблем неисправности или нестабильного функционирования. Таким образом, данный материал, думается, будет интересен самым широким слоям пользователей: либо уже столкнувшимся с определенными проблемами, либо желающим разобраться (на абсолютно разном уровне) и узнать больше об описываемых ниже модулях памяти, либо для тех, кто еще не остановил свой выбор на необходимом продукте данного класса и занимается постоянным поиском.SDRAM Registered DIMM, как концепция Registered DIMM
Модули 168pin, 3.3V, 72bit ECC SDRAM Registered DIMM (в дальнейшем SDRAM Registered DIMM, поскольку схема ECC принята за своего рода стандарт де-факто в данных модулях) в отличие от обычных обычных SDRAM DIMM имеют усовершенствованный механизм функционирования, обеспечивающий их гарантированную работу на частоте 100 MГц. Сама спецификация РС100 разработана именно для производства памяти, работающей на частоте 100 MГц, и использует технологию, применяющуюся при производстве пакетно-конвейерной кэш-памяти, что дает возможность уменьшить время запроса/вывода данных на шине с 10 нс до 8 нс, т.е. даже меньше, чем длительность периода тактовой частоты 100 MГц шины (t CK =10 нс).
Технология производства модулей Registered DIMM предполагает:
- высокую точность импеданса (полного сопротивления) сигнальных трасс на печатной плате
- скрупулезное выполнение всех предписаний данной спецификации по отношению ко всем элементам цифрового тракта передачи данных
- жесткое выполнение программы проверки "встречных" системных таймингов (временных параметров)
- целостность сигнала (Signal Integrity) для поддержки 66/100 MГц коммутаций
- переход на сигнальный протокол SSTL_3 (однако, в большинстве случаев используется обычная низковольтная транзисторно-транзисторная логика LVTTL)
Геометрия печатной платы Registered DIMM полностью соответствует требованиям, предъявляемым в рамках стандарта ANSI Y14.5M-1994, который сертифицирован для стандартных модулей класса Unbuffered/Buffered SDRAM DIMM.
| Габаритные размеры PCB Registered DIMM | ||||
| Габарит | Минимальный | Типичный | Максимальный | |
| Длина печатной платы модуля, мм | 133.22 | 133.37 | 133.52 | |
| Высота печатной платы модуля, мм | 38.12 | 43.18 | ||
| Толщина печатной платы модуля, мм | 1.17 | 1.27 | 1.37 | |
| Толщина модуля, включая монтаж микросхем, мм | 8.13 | |||
| Высота сигнального вывода, мм | 1.95 | 2.40 | 2.65 | |
| Ширина сигнального вывода, мм | 0.95 | 1.00 | 1.05 | |
| Расстояние между соседними сигнальными выводами, мм | 0.22 | |||
| Ширина механического ключа, мм | 2.00 ±0.10 mm | |||
| Примечание: | согласно ANSI Y14.5M-1994, расхождение не должно превышать ±0.13 от указанного размера | |||
Микросхемы-регистры играют роль транзитных буферов, перераспределяя адреса, и применяются для трансляции команд с их последующей передачей в микросхему памяти с задержкой в 1 такт. Тем не менее, данное +1T пенальти обычно включается в общий цикл ожидания контроллера памяти, обслуживающего Registered DIMM, поэтому в конечном итоге не выполняется никаких фаз дополнительно вводимой задержки. Микросхема PLL значительно уменьшает нагрузку на систему синхронизации, а устройства Register на командно-адресные сигнальные линии, что в результате позволяет использовать до 36 микросхем памяти на полную физическую строку (две физические строки или полный банк). Стандартно, микросхемы SDRAM имеют параллельную схему включения, что суммарно увеличивает потребляемый ток всеми устройствами, кроме чего не имеют возможности самоуправления (отключения) командно-адресного интерфейса. Буферные регистры наоборот обладают интерфейсом отключения входов, поэтому в состоянии деактивации ток утечки отсутствует.
Полная спецификация на модули SDRAM Registered DIMM указана в документах JESD21-C-4.5.7 и JESD JC-40, и все требования, описанные в рамках этих технических документов, должны строго выполняться сторонними разработчиками. Схемотехнические модификации не запрещаются, однако требуют жесткого согласования с требованиями, определяемыми рамками стандартов в части, касающейся сигнального интерфейса для выполнения обязательной тайминговой программы поддержки коммутаций 66/100 MГц (два специфических режима функционирования модулей Registered DIMM). После введения некоторых модификаций по оптимизации нагрузок на основные линии или маршрута прохождения сигнала (трассировка), разработанная схема должна подвергнуться тщательному анализу на специальных симуляторах и пройти лабораторные проверки по обеспечению выполнения основных требований касательно целостности сигнала и дальнейшего гарантированного четкого функционирования.
Рассмотрим подробнее особенности функционирования в системе модуля. Схема синхронизации SDRAM Registered DIMM выглядит следующим образом. От внешнего системного тактового генератора (CK97/CK98 или его эквивалента) синхросигналы поступают непосредственно на микросхему ФАПЧ, имеющую петлю обратной связи (с емкостью в цепи ОС для уменьшения фазовых ошибок) для подавления возможной девиации входящего тактового сигнала. Микросхема PLL коммутирует тактовые сигналы отдельно для микросхем SDRAM и Register с умышленным перекосом в 250 пс для обеспечения поступления большего количества адресов и увеличения длительности подготовки контрольных сигналов через микросхему Register на микросхемы SDRAM. Дополнительный перекос синхросигналов на микросхемы SDRAM и Register (±50 пс) обусловлен разностью длин сигнальных трасс к данным микросхемам на PCB. Фазовое отношение между системным синхросигналом и входным тактовым сигналом ФАПЧ является системозависимым. Кроме этого, вводится умышленный перекос 2.14 нс (±0.41нс) на тактовом входе (PCLKIN) контроллеров памяти базовых логик (например, FW82443BX или FW82443GX) от системного тактового синтезатора для совместимости с сигнальным протоколом PC100 SDRAM Unbuffered DIMM, согласно JESD21C-4.5.4-R9, чтобы была возможность использования в системе "разноплановых" модулей памяти.
В отличие от SDRAM Registered DIMM, модули DDR SDRAM Registered DIMM имеют намного расширенную параметрическую сеть, основываясь на нескольких базовых топологических схемах. Эти схемы имеют разные конфигурации по размещению компонентов на печатной плате, и, как следствие, отдельные требования по разводке и топологии модулей. Условно, в пределах спецификации, базовый дизайн модуля DDR SDRAM Registered DIMM делят на восемь групп (используемые микросхемы памяти имеют 4-х банковую внутреннюю логическую организацию):
- Группа A определяют самый широкий спектр модулей памяти, определяя объем 64, 128, 256, 512 и 1024 Mбайт с одним/двумя физическими банками и организацией модулей х64 и х72 (стандартные и с поддержкой ЕСС соответственно), используя 8/16 (базовый) и 9/18 (ЕСС) микросхемы. Монтируемые при этом 64, 128, 256 и 512 Мбит микросхемы памяти организации х8 пакуются в стандартный 66 lead TSOP корпус.
- Группа B определяет довольно узкий спектр модулей однострочной физической конфигурации, и аналогична группе А за исключением того, что рассчитана исключительно для систем с поддержкой кода коррекции ошибки (ECC-модули) и имеет двусторонний монтаж микросхем (18 штук) с организацией х4.
- Группа C и E по предлагаемому спектру аналогичны группе В, однако поддерживаемые объемы модулей 256, 512, 1024 и 2048 Mбайт говорят о более серьезном и более узком круге приложений. Модули этих групп имеют исключительно двухбанковую физическую структуру, используя 36 микросхем (монтаж высокой плотности, Stacked) с организацией х4, пакующихся в корпуса 66 lead stacked TSOP (группа C) и TSOJ (группа E).
- Группа F аналогична по спектру и организации модулям группы A за исключением того, что используются только двухсторонний монтаж микросхем памяти (16/18 штук для базовой конфигурации и ЕСС соответственно) с организацией х8 (2 физических банка), и введены переключатели на полевых транзисторах (FET-switches).
- Группа G зарезервирована для расширенных конфигураций.
- Группы H и K полностью аналогичны C и E соответственно с той разницей, что в состав модулей введены FET-switches.
В модулях DDR SDRAM Registered DIMM используют дифференциальный протокол синхронизации дифференциальные входные синхропары CK/CK# (позитивный сигнал/негативный "двойник") точка пересечения (средняя точка, уровень опорного напряжения) которых (по фронту CK) являются опорной относительно поступления адресных и контрольных сигналов. Топология сигнальных трасс, временные протоколы и требования стандарта DDR SDRAM Registered DIMM отличаются лишь численно от общих требований Registered DIMM с упором на технологию DDR (обмен данными происходит по фронту и срезу (Both Edges) основных синхросигналов, CK#). Как и в предыдущем случае, все требования, выдвигаемые для функционирования в режиме Registered с использованием микросхем Registered и PLL, четко оговорены в рамках документа JESD JC-40. Конфигурации модулей DDR SDRAM Registered DIMM объемом 64, 128, 256, 512, 1024 и 2048 Mбайт поддерживают микросхемы памяти емкостью 64, 128, 256 и 512 Mбит организации х4/х8 (Planar Components), применяющиеся для производства планарных модулей (Planar или Unstacked DIMM), и х4 высокой плотности упаковки (High Stack Package), использующихся при реализации модулей с высокой плотностью размещения компонентов (Stacked DIMM).
Цоколевка модуля DDR SDRAM Registered DIMM полностью соответствуют стандарту DDR SDRAM DIMM с/без ECC. Ранее отсутствовавший в спецификации SDRAM Registered DIMM асинхронный LVCMOS низкоуровневый сигнал RESET# применяется для гарантированного перевода выходов микросхемы Register в активное низкое состояние по требованию. Сигналы маскирования DM, имеющие высокий активный уровень, совместно с действующими входными данными DQ имеют умышленно введенную однотактную задержку формирования после поступления команды записи. Фронт и срез сигналов DQS применяются для стробирования приема/передачи данных непосредственно по линиям DQ: в режиме передачи для считываемых данных, в режиме приема для записываемых, причем фронт и срез является командным для чтения данных, а середина строба для записи. Вывод FETEN является опциональным и используется в конфигурациях, имеющих коммутаторы на полевых транзисторах (группы F, H и K). Линии V DDSPD , V DDID и V DD Q выполняют соответственно функции питания микросхемы SPD (данный вывод должен быть изолирован от линий питания V DD и V DD Q), идентификационного флага напряжения V DD и питания линий данных. Уникальный сигнал REGE, осуществляющий переключение между двумя специфическими режимами функционирования, отсутствует в настоящем стандарте DDR SDRAM Registered DIMM, что говорит о функционировании исключительно в режиме Registered.
Основные особенности модулей DDR SDRAM Registered DIMM можно охарактеризовать следующим образом:
- Умышленная однотактная задержка на входах микросхем Register (One-clock Delay Registered Inputs)
- Стандартная для Registered DIMM синхронизация через PLL для снижения нагрузки на линии CKE
- Ввод команд происходит по каждому положительному перепаду CK
- Выравнивание данных для чтения по фронту/срезу DQS, выравнивание данных для записи по центру DQS
- Внутренняя конвейеризированная архитектура DDR
- Двунаправленное стробирование приема/передачи данных при помощи линий DQS (Source-Synchronous Data Capture)
- Исключительно четырехбанковая внутренняя архитектура микросхемы для совмещенных операций и уменьшения задержек при выполнении регенерации массива
- Программируемая длина пакетов (BL=2, 4, 8, Page)
- Поддержка всех режимов регенерации (автоподзаряд, авторегенерация и саморегенерация), включая максимальный цикл 15.625 m s
Идентификация модуля системой происходит, как обычно, при помощи схемы последовательного детектирования (см. пример карты программирования), оговоренной в рамках JEDEC ballot JC-42.5-5-99-102, описывающего стандарт стандарт SPD для DDR SDRAM Registered DIMM. Однако данное требование целиком опирается на основной стандарт последовательного детектирования, описываемый в упоминающемся ранее документе JESD21C-4.1-R91.
Габаритные размеры PCB DDR SDRAM Registered DIMM полностью соответствуют типоразмерам Registered DIMM, приводимым ранее. Топологическая схема предусматривает соответствие материала печатной платы требованиям UL-94V-0, задержку распространения по внутренним слоям (Soi) 2.0-2.2 нс/фут, задержку распространения по внешним слоям (Sou) 1.6-2.2 нс/фут, полное сопротивление трассы (Zo) 54-66 Ом и восьмислойную схему 4/6 mil типа S-G-P-S-S-P-G-S.
Общие требования по трассировке и расчету параметров модулей Registered DIMM сводятся к рассмотрению нескольких моментов в расчете топологии модуля и размещении связующих компонентов. Для стандартов SDRAM Registered DIMM и DDR SDRAM Registered DIMM данные требования и различия носят численный характер, поэтому конечный производитель должен учитывать настоящие рекомендации. Рассмотрим требования для DDR SDRAM Registered DIMM.
Задержка подачи управляющих синхросигналов к микросхемам памяти на модуле оптимизирована для высокоскоростных операций на уровне топологии и трассировки печатной платы. Полная задержка поступления синхросигнала складывается из времени задержки распространения от интерфейса модуля до входных выводов микросхемы PLL, времени задержки распространения по сигнальной трассе от микросхемы ФАПЧ до микросхемы SDRAM и задержки "pin-pin" на пассивных компонентах типа серий резисторов. Эта суммарная задержка рассчитывается и моделируется непосредственно производителем модуля согласно общей спецификации и требованиям к тайминговой программе конкретной сигнальной группы. Иными словами, предлагается конкретная базовая модель с точно рассчитанными параметрами (Reference Net, например, в случае DDR SDRAM Registered DIMM семь модификаций A, B, C, E, F, H и K), имеющая конкретную топологию, изменяя которую добиваются оптимизации согласования по таймингам и маршрута сигналов, однако установленные временные и нагрузочные параметры остаются постоянными.
Изначально, номинальная задержка распространения сигнала от входа PLL до входа соответствующей микросхемы принята за 0 пс. Промежуток подачи синхросигнала на вход микросхемы ФАПЧ не должен регулироваться источниками вариаций временных параметров, включающих входную емкость PLL, допустимые отклонения номиналов использующихся резисторов и емкостных характеристик выводов, а также импедансных вариаций (изменение полного сопротивления), которые могут давать эффект. Однако, реализуя эти вариации, можно изменять и контролировать задержку в промежутке ±100 пс на рассматриваемом участке.
Наиболее важный фактор, влияющий на параметры опорного синхросигнала это обеспечение четко рассчитанного промежутка поступления синхросигнала на микросхему памяти. Базовый дизайн модуля памяти предполагает заранее рассчитанную сеть параметров со стандартными задержками. Конкретный производитель конечного модуля может изменять эти параметры в пределах ранее указываемого промежутка (±100 пс) при помощи петли обратной связи в цепи микросхемы PLL, учитывая возможные "всплески". Данное значение не включается в крайний результат "погрешности" временного перекоса на PLL, возникновения фазовой ошибки и отклонения от номинала конденсатора в цепи ОС.
Все вносимые изменения в базовую модель требуют тщательной перепроверки новой модели. Моделирование позволяет непосредственно каждому производителю модуля памяти добиваться комбинированием параметров номинального 0ps отношения между входящим синхросигналом микросхем Register и микросхем памяти (синфазность). Данное условие довольно критично и его анализ позволяет рассчитывать и точно удерживать требуемые характеристики, составляющие такой параметр, как целостность сигнала (Signal Integrity) на входах микросхем памяти и Register. Например, там где "регистровые" синхросигналы не "вмещаются" в идеальное тайминговое окно (четкое совпадение соответствующих значений на конкретном участке), не менее критичные пост-регистровые тайминги необходимо корректировать для обеспечения четкого выполнения операций и гарантированного функционирования модуля, а также устранения возникновения возможных "плывущих" таймингов (рассредоточение временных параметров).
Общая маркировка модулей памяти DDR SDRAM Registered DIMM аналогична стандартным DDR SDRAM DIMM и предусматривает схему PCxxxxm-abcd-ef. Здесь хххx результирующая частота функционирования модуля памяти (200/266A/266B), m тип используемого модуля памяти (R Registered, U - Unbuffered), a задержка выдачи сигнала CAS# (CL CAS# Latency) при записи в маркировке не использует десятичную точку (например, 25 CL=2.5 нс), b задержка между сигналами RAS# и CAS# (t RCD RAS#-to-CAS# Delay Time), c - длительность перезаряда линии RAS# (t RP RAS# Precharge Time), d номер ревизии SPD, e тип используемого базового дизайна (A, B, C, E, F, H или K) f номер используемой ревизии стандарта. Например, PC200R-25330-A1.Заключение
Итак, после краткого технического экскурса становится очевидным область применения модулей Registered DIMM это, конечно же, системы с максимальной степенью отказоустойчивости (например, сервера), базирующиеся, на логических наборах, поддерживающих модули PC Registered DIMM. Например, SDRAM Registered DIMM поддерживается наборами i82440BX и i82440GX производства Intel и логиками ServerWorks ServerSet III xE производства ServerWorks, а модули DDR SDRAM Registered DIMM чипсетами AMD-760MP и AMD-760MPX. Для такого заключения есть абсолютно все основания: наличие на модуле отдельной реализации фазовой автоподстройки частоты с обратной связью (PLL) для стабилизации протокола группы синхросигналов и уменьшения нагрузки на сигнальные линии, 72bit организация модуля с кодом коррекции ошибок (ECC) для выделения и устранения возможных ошибок, наличие специализированной микросхемы страничной адресации (Registered), плюс, схемотехнически индивидуальный подход с некоторыми собственными правилами разводки и монтажа требования для «встречного» согласования по временным параметрам и минимизации влияния ЭМИ.
Необходимо заметить, что, поскольку модуль памяти Registered DIMM является довольно специфическим устройством с особенностями функционирования, далеко не каждый логический набор (чипсет) поддерживает эту разновидность модулей синхронного ДОЗУ. Производитель материнской платы, использующий такой чипсет, обязан предоставить список вендоров (конечных производителей), модули памяти которых успешно прошли тестирование на данной платформе. Поэтому для компоновки конечной системы следует подбирать модули памяти согласно предлагаемого списка производителя платформы сертифицированных модулей памяти. Справедливости ради надо также заметить, что некоторые производители материнских плат полностью исключают поддержку модулей, отличных от Registered DIMM (в такой системе обычные модули Unbuffered DIMM функционировать не будут), поэтому необходимо внимательно изучать спецификацию желаемой платформы.
Регистровый файл (register file), или регистровая память , - совокупность устройств памяти процессора - т.н. регистров, предназначенных для временного хранения управляющей информации, операндов и/или результатов выполняемых команд. Регистровый файл обычно включает в себя регистры общего назначения (general-purpose register) и специальные регистры (special-purpose register).
Регистры общего назначения (РОН) состоят из доступных для программ пользователей регистров, предназначенных для хранения операндов, адресов операндов, результатов выполнения команд. Скорость доступа к содержимому регистров сравнима со скоростью обработки информации процессором, поэтому одной из основных причин появления регистров общего назначения было сглаживание дисбаланса в производительности процессора и скорости доступа к оперативной памяти. Наиболее часто используемые в программе операнды размещались на регистрах общего назначения, тем самым происходило сокращение количества реальных обращений в оперативную память, что, в итоге, повышало суммарную производительность компьютера. Состав регистров общего назначения существенно зависит от архитектуры конкретного компьютера.
Специальные регистры предназначены для координации информационного взаимодействия основных компонентов процессора. В их состав могут входить специальные регистры, обеспечивающие управление устройствами компьютера, регистры, содержимое которых используется для представления информации об актуальном состоянии выполняемой процессором программы и т.д. Так же, как и в случае регистров общего назначения, состав специальных регистров определяется архитектурой конкретного процессора. К наиболее распространенным специальным регистрам относятся: счетчик команд (program counter), указатель стека (stack pointer), слово состояния процессора (processor status word). Счетчик команд - специальный регистр, в котором размещается адрес очередной выполняемой команды программы. Счетчик команд изменяется в устройстве управления согласно алгоритму, заложенному в программу. Более подробно использование счетчика команд проиллюстрируем несколько позднее при рассмотрении рабочего цикла процессора. Указатель стека - регистр, содержимое которого в каждый момент времени указывает на адрес слова в области памяти, являющегося вершиной стека. Обычно данный регистр присутствует в процессорах, система команд которых поддерживает работу со стеком (операции чтения и записи данных из/в стек с автоматической коррекцией значения указателя стека). Слово состояния процессора - регистр, содержимое которого определяет режимы работы процессора, значения кодов результата операций и т.п.
Конец работы -
Эта тема принадлежит разделу:
Операционные системы
Факультет вычислительной математики и кибернетики.. курынин р в машечкин и в терехин а н.. операционные системы..
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
| Твитнуть |
Все темы данного раздела:
Основы архитектуры вычислительной системы
Современный компьютер и его программное обеспечение невозможно рассматривать в отдельности друг от друга. Рассматривая функционирование компьютера, мы всегда имеем в виду функционирование системы,
Структура ВС
Традиционным представлением структуры вычислительной системы является пирамида (Рис. 4). Каждый из уровней пирамиды определяет свой уровень абстракции свойств вычислительной системы. Основанием явл
Аппаратный уровень ВС
Итак, аппаратный уровень вычислительной системы определяется набором аппаратных компонентов и их характеристик, используемых вышестоящими уровнями иерархии и оказывающих влияние на эти уровни. С по
Управление физическими ресурсами ВС
Уровень управления физическими ресурсами - это первый уровень системного программного обеспечения вычислительной системы. Его назначение - систематизация и стандартизация правил пр
Системы программирования
Прежде чем начать рассматривать следующий уровень структурной организации вычислительных систем, обратимся к последовательности этапов, традиционно связываемых с разработкой и внедрением програ
Прикладные системы
Итак, мы переходим к вершине структурной организации вычислительных систем - к уровню прикладного программного обеспечения. Прикладная система - это програм
Основы компьютерной архитектуры
Изучение принципов структурной организации и функционирования основных компонентов операционной системы невозможно без рассмотрения основ архитектуры компьютера. Настоящая глава посвящена рассмотре
Структура, основные компоненты
Середина 40-х годов прошлого века может вправе считаться сроком зарождения современной вычислительной техники. С этой датой связана публикация американского математика венгерского происхождения Джо
Оперативное запоминающее устройство
Оперативное запоминающее устройство (RAM - Random-Access Memory) - это устройство хранения данных компьютера, в котором находится исполняемая в данный момент программа. ОЗУ еще называют основной па
Центральный процессор
Процессор, или центральный процессор (ЦП), компьютера обеспечивает последовательное выполнение машинных команд, составляющих программу, размещенну
Устройство управления. Арифметико-логическое устройство
Устройство управления (control unit) - устройство, которое координирует выполнение команд программы процессором. Арифметико-логическое устройство (arithmetic/logic
КЭШ-память
Ключевой проблемой функционирования компьютеров является проблема несоответствия производительности центрального процессора и скорости доступа к информации, размещенной в оперативной памяти. Мы рас
Аппарат прерываний
Если мы обратим внимание на представленный выше рабочий цикл процессора, то увидим, что такая схема не предусматривает возможности обработки ошибочной ситуации, которая может возникнуть в системе в
Внешние устройства
Внешние устройства во многом определяют эксплуатационные характеристики как компьютера, так и вычислительной системы в целом. Размер экрана монитора, объем и производительность магнитных дисков
Внешние запоминающие устройства
Внешние запоминающие устройства (ВЗУ) предназначены для организации хранения данных и программ. Обычно операции чтения или записи с ВЗУ происходят некоторыми порциями данных, которые называются
Модели синхронизации при обмене с внешними устройствами
Важной характеристикой, во многом определяющей эффективность функционирования вычислительной системы, является модель синхронизации, поддерживаемая аппаратурой компьютера при взаимодействии централ
Потоки данных. Организация управления внешними устройствами
При рассмотрении работы любого компьютера имеют место два потока информации. Первый поток - это управляющая информация, второй поток - это поток данных, над которыми осуществляется обработка в прог
Иерархия памяти
Рассматривая вычислительную систему, или компьютер, можно выстроить некоторую последовательность устройств, предназначенных для хранения информации в некотором ранжированном порядке, иерархии. Этот
Аппаратная поддержка операционной системы и систем программирования
Если мы обратим свое внимание на рассмотрение компьютеров первого поколения, то это были компьютеры (computer - вычислитель) в прямом смысле слова, т.е. производители первых компь
Требования к аппаратуре для поддержки мультипрограммного режима
Выше уже речь уже шла о мультипрограммном режиме, когда в обработке могут находиться две и более программы пользователей, и каждая из этих программ может находиться в одном из трех
Проблемы, возникающие при исполнении программ
Рассмотрим круг проблем, которые, так или иначе, возникают при исполнении программ.
Вложенные обращения к подпрограммам (Рис. 44). Несколько лет назад проводились исследов
Регистровые окна
Одно из более или менее новых решений, предназначенное для минимизации накладных расходов, связанных с обращениями к подпрограммам, основано на использовании в современных процессорах т.н.
Системный стек
Будем рассматривать системы, в которых имеется аппаратная поддержка стека. Это означает, что имеется регистр, который ссылается на вершину стека, и есть некоторый механизм, который поддерживает раб
Виртуальная память
Следующий аппарат компьютера, который также сильно связан с поддержкой программного обеспечения, - это аппарат виртуальной памяти. Что понимается под виртуальной памятью и в
Многомашинные, многопроцессорные ассоциации
В настоящее время одиночный компьютер можно сравнить с телефонным аппаратом без телефонной сети. Т.е., говоря об ЭВМ, мы подразумеваем машину в некотором окружении и взаимодействии с другими ма
Терминальные комплексы (ТК)
Терминальный комплекс - это многомашинная ассоциация, предназначенная для организации массового доступа удаленных и локальных пользователей к ресурсам некоторой вычислительной
Компьютерные сети
Развитие терминальных комплексов положило основу развития компьютерных сетей. И следующим шагом стала замена терминальных устройств компьютерами.
Компьютерная сеть - э
Основы архитектуры операционных систем
Этот раздел мы начнем с определения базовых понятий, среди которых очень важным для нас станет понятие операционной системы. Этот термин имеет различные толкования в разных изданиях, мы остановимся
Структура ОС
Существует множество взглядов, касающихся структуры операционной системы, и в этом разделе речь пойдет о некоторых из них.
Простейшая структурная организация основана на представлении опер
Логические функции ОС
Рассматривая ОС, ее функциональность можно представить в виде объединения некоторого фиксированного количества блоков функций. Состав этого набора варьирует от системы к системе, но в большинстве с
Типы операционных систем
Операционные системы можно классифицировать с точки зрения критериев эффективности и стратегий использования центрального процессора. Можно выделить три основных класса операционных систем:
Основные концепции
Выше уже встречалось понятие процесса и некоторые его определения. Итак, под процессом понимается совокупность машинных команд и данных, обрабатываем
Модели операционных систем
Ниже будем рассматривать некоторую модельную операционную систему. Будем считать, что этапы жизненного цикла процесса разделены на два блока. Первый блок - это размещение процесса,
Типы процессов
Рассматривая процесс в той или иной операционной системе, можно обнаружить, что встречается деление процессов на две категории: т.н. полновесные процессы и легков
Контекст процесса
Говоря о различных механизмах, происходящих в системе, часто затрагивался термин контекст процесса. Под контекстомпроцесса мы будем понимать совокупн
Процесс ОС Unix
Механизм управления и взаимодействия процессов в ОС Unix послужил во многом основой для развития операционных систем в целом, и логического блока управления процессами в частности. Во многом органи
Базовые средства управления процессами в ОС Unix
Рассмотрим теперь, что происходит при обращении к системному вызову fork(). При обращении процесса к данному системному вызову операционная система создает копию текущего процесса, т.е.
Жизненный цикл процесса. Состояния процесса
Рассмотрим обобщенную и несколько упрощенную схему жизненного цикла процессов в ОС Unix (Рис. 79). Можно выделить целую совокупность состояний, в которых может находиться процесс.
Формирование процессов 0 и 1
Все механизмы взаимодействия процессов в ОС Unix унифицированы и основываются на связке системных вызовов fork-exec. Абсолютно все процесс в ОС Unix создается по приведенной схеме, но сущест
Способы организации взаимного исключения
В этом разделе речь пойдет о способах, позволяющих обеспечить работу с критическими ресурсами, т.е. тот способ работы с разделяемым ресурсом, при котором в любой момент времени с ним может работать
Базовые средства реализации взаимодействия процессов в ОС Unix
Сразу необходимо отметить, что во всех иллюстрациях организаций взаимодействия процессов будем рассматривать полновесные процессы, т.е. те «классические» процессы, которые представляются в вид
Сигналы
В ОС Unix присутствует т.н. аппарат сигналов, позволяющий одним процессам оказывать воздействия на другие процессы. Сигналы могут рассматриваться как средство уведомления пр
Неименованные каналы
Неименованный канал (или программный канал) представляется в виде области памяти на внешнем запоминающем устройстве, управ
Именованные каналы
Файловая система ОС Unix поддерживает некоторую совокупность файлов различных типов. Файловая система рассматривает каталоги как файлы специального типа каталог, обычные файлы, с которым мы
Очередь сообщений IPC
Система предоставляет возможность создания некоторого функционально расширенного аналога канала, но главное отличие заключается в том, что сообщения в очереди сообщений IPC типизированы. Каждое соо
Массив семафоров IPC
Семафоры представляют собой одну из форм IPC и используются для организации синхронизации взаимодействующих процессов. Рассмотрение функций для работы с семафорами мы начнем традиционно с функции с
Основные концепции
Под файловой системой (ФС) мы будем понимать часть операционной системы, представляющую собой совокупность организованных наборов данных, хранящихся на внешних запомина
Структурная организация файлов
С точки зрения структурной организации файлов имеется целый спектр различных подходов. Существует некоторая установившаяся систематизация методов структурной организации файлов. Рассмотрим модели в
Атрибуты файлов
Каждый файл обладает фиксированным набором параметров, характеризующих свойства и состояния файла, причем и долговременное (стратегическое), и оперативное состояния. Совокупность этих параметров на
Основные правила работы с файлами. Типовые программные интерфейсы
Практически все файловые системы при организации работы с файлами действуют по схожим сценариям, которые в общем случае состоят из трех основных блоков действий.
Во-первых, это нач
Подходы в практической реализации файловой системы
Рассмотрим некоторые подходы в практической реализации файловой системы. Снова вернемся к понятию системного устройства - устройства, на котором, как считается аппарату
Модели реализации файлов
Первой тривиальной и самой эффективной с точки зрения минимизации накладных расходов является модель непрерывных файлов(Рис. 97). Данная модель подразумевает размещение каждого фай
Модели реализации каталогов
Существуют несколько подходов организации каталогов. Во-первых, каталог может представляться в виде таблицы, у которой в одной колонке находятся имена файлов, а в остальных - все атрибуты. Эта моде
Соответствие имени файла и его содержимого
Еще один момент, на который стоит обратить внимание при рассмотрении организации файловых систем, - это проблема соответствия между именем файла и содержимым этого файла.
Как отмечалось вы
Координация использования пространства внешней памяти
С точки зрения организации использования пространства внешней памяти файловой системой существует несколько аспектов, на которые необходимо обратить внимание. Первый момент связан с проблемой выбор
Квотирование пространства файловой системы
Как отмечалось выше, файловая система должна обеспечивать контроль использования двух видов системных ресурсов - это регистрация файлов в каталогах (т.е. контроль количества имен файлов, которое мо
Надежность файловой системы
Понятие надежности файловой системы включает в себя множество требований, среди которых, в первую очередь, можно выделить то, что системные данные файловой системы должны обладать избыточной информ
Проверка целостности файловой системы
Далее речь пойдет о моделях организации контроля и исправления ошибочных ситуаций, связанных с целостностью файловой системы. Обратим внимание, что будет рассматриваться целостность именно файловой
Организация файловой системы ОС Unix. Виды файлов. Права доступа
Файл ОС Unix - это специальным образом именованный набор данных, размещенных в файловой системе. Файлы ОС Unix могут быть разных типов:
- обычный файл
Логическая структура каталогов
Одной из характеристик ОС Unix является характеристика, кажущаяся на первый взгляд достаточно странной: система рекомендует размещать системную и пользовательскую информацию по некоторым прави
Работа с массивами номеров свободных блоков
Изначально номера всех свободных блоков файловой системы выстраиваются в единый связный список (Рис. 111), который размещается в нескольких блоках. Первый блок располагается в суперблоке (а значит,
Работа с массивом свободных индексных дескрипторов
Массив номеров свободных индексных дескрипторов - это массив фиксированного количества элементов. Изначально данный массив заполнен номерами свободных индексных дескрипторов.
Если происход
Индексные дескрипторы. Адресация блоков файла
Выше уже отмечалось, что индексный дескриптор (Рис. 112) является системной структурой данных, содержащей атрибуты файла, а также всю оперативную информацию об организации и
Файл-каталог
Каталог файловой системы версии System V - это файл специального типа, его содержимое так же, как и у регулярных файлов, находится в рабочем пространстве файловой системы и по
Достоинства и недостатки файловой системы модели System V
Среди достоинств рассматриваемой файловой системы стоит отметить, что данная система является иерархичной. Также надо отметить, что за счет использования системного кэширования опт
Стратегии размещения
Работа системы основывается на трех концепциях. Первой концепцией является оптимизация размещения каталога. При создании каталога система осуществляет поиск кластера, наиболее своб
Внутренняя организация блоков
Размер блока в файловой системе FFS может варьироваться в достаточно широком диапазоне: предельный размер блока - 64 Кбайт. Как отмечалось выше, проблема выбора оптимального размера блока достаточн
Выделение пространства для файла
Рассмотрим алгоритм выделения пространства для файлов на следующем примере. Будем считать, что блок файловой системы поделен на 4 фрагмента. Пускай в системе хранятся файлы petya.txt и vasya.txt (Р
Структура каталога FFS
Каталог файловой системы FFS позволяет использовать имена файлов, длиной до 255 символов (Рис. 120). Каталог состоит из записей переменной длины, состоящих из блоков, размером в 4 байта. Начал
Блокировка доступа к содержимому файла
Организация файловой системы ОС Unix позволяет открывать и работать с одним и тем же файлом произвольному числу процессов. Более того, один и тот же файл может быть многократно открыт в рамках одно
Управление оперативной памятью
Будем говорить о функциях управления оперативной памятью в контексте решения следующих основных задач. Во-первых, это осуществление контроля использования ресурса, т.е. одной из функций операт
Одиночное непрерывное распределение
Данная модель распределения оперативной памяти (Рис. 121) является одной из самых простых и основывается на том, что все адресное пространство подразделяется на два компонента. В одной части памяти
Страничное распределение
Об этой модели распределения оперативной памяти уже шла речь ранее, но тогда перед нами стояла задача лишь ввести читателя в курс дела, в этом же разделе будут обсуждаться более подробно современны
Сегментное распределение
Недостатком страничного распределения памяти является то, что при реализации этой модели процессу выделяется единый диапазон виртуальных адресов: от нуля до некоторого предельного значения. С одной
Сегментно-страничное распределение
Естественным развитием рассмотренной модели сегментного распределения памяти стала модель сегментно-страничного распределения. Эта модель рассматривает виртуальный адрес, как номер сегмента и смеще
Архитектура организации управления внешними устройствами
Как отмечалось ранее, при организации взаимодействия работы процессора и внешних устройств различают два потока информации: поток управляющей информации (т.е. поток команд какому-либо устройст
Программное управление внешними устройствами
Рассмотрим архитектуру программного управления внешними устройствами, которую можно представить в виде некоторой иерархии (Рис. 135). В основании лежит аппаратура, а далее следуют
Планирование дисковых обменов
Рассмотрим различные стратегии организации планирования дисковых обменов. При этом преследуется цель проиллюстрировать то многообразие подходов к решению данной проблемы, которые имеют место в мире
RAID-системы. Уровни RAID
Аббревиатура RAID может раскрываться двумя способами. RAID - Redundant Array of Independent (Inexpensive) Disks, или избыточный массив независимых (недорогих) дисков. На сегодняшний день обе расшиф
Файлы устройств, драйверы
Как уже неоднократно упоминалось, одной из основных особенностей ОС Unix является концепция файлов: практически все, с чем работает система, представляется в виде файлов. Внешние устройства не
Системные таблицы драйверов устройств
Для регистрации драйверов в системе используются две системные таблицы: таблицы блок-ориентированных устройств - bdevsw, и таблица байт-ориентированных устройств - cdevsw
Ситуации, вызывающие обращение к функциям драйвера
Список ситуаций, при которых происходит обращение к функциям драйверов, четко детерминирован. Во-первых, это старт системы и инициализация устройств и драйверов. При старте системы она имеет перече
Включение, удаление драйверов из системы
Изначально Unix-системы предполагали, как и большинство систем, «жесткие» статические встраивание драйверов в код ядра. Это означало, что при добавлении нового драйвера или удалении существующего н
Организация обмена данными с файлами
В этом разделе мы рассмотрим механизм организации обмена данными с файлами, после чего станет понятным, что происходит в системе, когда один и тот же файл открывается в системе одновременно несколь
Буферизация при блок-ориентированном обмене
Одним из достоинств ОС Unix является организация многоуровневой буферизации при выполнении неэффективных действий . В частности, для организации блок-ориентированных обменов система использует
Борьба со сбоями
Так или иначе, но в ОС Unix есть ряд традиционных средств для минимизации ущерба при отказах. Во-первых, в системе может быть задан параметр, определяющий промежутки времени, через которые осуществ
Персональные компьютеры содержат несколько видов памяти, в том числе микропроцессорную (МПП), регистровую кэш-память и основную (ОП). Быстродействие этих устройств измеряется временем поиска, считывания и/или записи информации (). Для МПП время обращения = 0,001 — 0,002 мкс, для регистровой памяти = 0,002 — 0,010 мкс, а для основной – = 0,005 — 0,100 мкс.
Создается память на микросхемах статического (SRAM) или динамического (DRAM) типа. Статический тип обладает более высоким быстродействием и энергопотреблением, дороже динамического и обладает более низкой удельной плотностью (единицы мегабайт на корпус). Динамическая память имеет большее время срабатывания, большую удельную плотность (десятки мегабайт на корпус), меньшее энергопотребление.
Микропроцессорная память включена в состав МП, имеет сравнительно небольшую емкость и представляет собой набор регистров для передачи команд и данных. Регистровая кэш-память – это высокоскоростная память, являющаяся буфером между ОП и МП и позволяющая увеличить скорость выполнения операций. При выполнении программы данные, считанные из ОП с небольшим опережением, записываются в кэш-память, и результаты операций, выполненные в МП, также записываются в кэш-память. Использование кэш-памяти существенно увеличивает производительность системы, однако для современных ПК рост производительности практически прекращается после 1Мбайт кэш-памяти второго уровня L2. Кэш-память может применяться не только между МП и ОП, но и между ОП и внешними запоминающими устройствами.
Как известно, основная память содержит оперативное (ОЗУ или RAM – энергозависимая память) и постоянное (ПЗУ или ROM – энергонезависимая память) запоминающие устройства. Основу ОЗУ составляют микросхемы динамической памяти. На материнской плате обычно находятся несколько разъемов для подключения модулей ОП. Модули памяти бывают с контролем четности и без него. Контроль четности позволяет обнаружить ошибку и прервать выполнение программы, также существуют модули с автоматической коррекцией ошибок (ECC).
Различают следующие модули ОП:
· DIP – одиночная микросхема памяти, в настоящее время используется только в составе более укрупненных модулей;
· SIMM – печатная плата с односторонним разъемом типа слот и микросхемами типа DIP, бывают 30-контактные (75 мм) и 72-контактные (100 мм) емкостью 256 Кбайт, 1, 4, 8, 16 и 64 Мбайта. Они могут выпускаться с контролем четности и без него, имеют быстродействие 60 и 70 нс, в настоящее время считаются устаревшими и практически в ПК не применяются;
· DIMM – имеет 168-контактные разъемы (длина 130 мм), может иметь разрядность 64 бита (без контроля четности), 72 бита (с контролем четности) и 80 бит (ECC), емкость модулей – 16, 32, 64, 256 или 512 Мбайт. Время обращения 6-10 нс;
· RIMM – состоят из микросхем типа Direct RDRAM, требуют интенсивного охлаждения, связанного с со значительным энергопотреблением и высоким быстродействием (5 нс и менее). Они имеют меньшее число контактов, чем DIMM, заключены в специальные металлические экраны от излучения.
Оперативная память также различается по типам. Тип памяти определяется ее логической структурой и режимами работы. Выделяют следующие типы:
· FPM DRAM – динамическая память с быстрым страничным доступом, выпускалась в основном в конструктиве SIMM;
· RAM EDO – фактически представляет собой FPM DRAM, к которой добавлены специальные регистры, позволяющие проводить удержание данных до следующего запроса и ускоряющие процесс считывания последовательных массивов данных, выпускалась в конструктиве SIMM и DIMM;
· BEDO RAM – EDO с блочным доступом для ускорения доступа, выпускается в конструктиве SIMM и DIMM;
· SDRAM – синхронная динамическая память, позволяет увеличить производительность системы за счет синхронизации скорости ОЗУ со скоростью работы шины процессора. Время обращения 5 — 10 нс, обычно выпускается в виде DIMM;
· DDR SDRAM – вариант SDRAM с удвоенной пропускной способностью и работающей на более высокой частоте, конструктивно совместим с DIMM;
· DRDRAM – высокопроизводительная память, обладающая рядом особенностей, выпускается в конструктиве RIMM.
Основу ПЗУ составляют микросхемы, программируемые только один раз, либо многократно. Быстродействие у постоянной памяти меньше, чем у оперативной, поэтому для повышения быстродействия содержимое ПЗУ копируется в ОЗУ и при работе непосредственно используется эта копия, называемая теневой памятью ПЗУ (Shadow ROM).
