Твердотельные диски с новой 3D NAND памятью у нас на тестах уже были от CRUCIAL и ADATA. Но одной из первых эту технологию начала использовать SAMSUNG, составить полное представление по новому типу памяти без изучения серии 850 EVO было бы неправильно. Изучать ее мы также будем на примере версии на 500 Гбайт. Данная серия получилась любопытной, компания провела обновление серии без шумных анонсов. Некоторое время на полках российских магазинов было доступно две версии, сейчас все стабилизировалось, в официальной рознице представлена только актуальная ревизия.
В ней вместо 32-слойной 3D NAND второго поколения начали применять 48-слойные чипы третьего поколения. Увеличилась плотность ячеек, и в перспективе это открывает путь для емких SSD. Главным изменением стал новый техпроцесс, Samsung при этом уверяет, что характеристики не поменялись, для пользователей этот апгрейд мог пройти и незаметно. В реальности же мы видим совершенно новую модель SSD, но с тем же названием, сохранившую только контроллер MGX. Для нас этот тест будет интересен еще и взглядом на решение компании, которая использует собственные чипы, таких производителей немного на рынке. Сравнивать его работу будем с накопителем Crucial CT525MX300SSD1.
Samsung 850 EVO обзор
Комплектация
Одним из отличий стало обновление упаковки. Изменился дизайн оформления и набор информации. Теперь на коробке красуется надпись: «V-NAND SSD 850 EVO».
Комплектация скромная, включает только набор документации, скрываемой в конверте. Нет привычной рамки для увеличения толщины корпуса.
Внешний вид
Дизайн корпуса не поменялся. Samsung 850 EVO выполнена в черном корпусе с минималистичным оформлением. Толщина в 7 мм позволяет применять эти накопители для апгрейда ноутбука.
Кстати, одним из улучшений стало снижение энергопотребления, в случае настольных систем это не критично, а вот ноутбукам может продлить время автономной работы.
Вместо декоративной наклейки, серебристый логотип Samsung на крышке. С обратной стороны наклейка с техническими данными.
Отличия есть в маркировке, обновленные накопители идут с номеров: S2P, S2R или S2S.
Крепится корпус при помощи винтов. Разбор приведет к повреждению наклейки.
Начинка
Обращают внимание на себя уменьшенные габариты печатной платы Samsung 850 EVO. По длине она не превышает 2-3 см. Термоинтерфейс для контакта с корпусом не используется.Распаяно два чипа памяти TLC 3D V-NAND третьего поколения с 256-гигабитными ядрами. Для получения нужного объема теперь используется вдвое меньше чипов памяти. Уменьшение степени параллелизма снижает нагрузку на контроллер. Если ранее для версии на 1 Тбайт и 2 Тбайт использовали старший MEX процессор (850 Pro), то теперь 1 Тбайт идет с двухъядерным процессором MGX, позаимствованным из первой ревизии.
Также новые чипы больше не позволяют собирать твердотельные накопители на 120 Гбайт, минимальная версия идет с объемом 256 Гбайт. Обновили DRAM-буфер, вместо LPDDR2 SDRAM идет LPDDR3. На каждый 1 Гбайт приходится 1 Мбайт емкости буфера. 6 Гбайт SLC-кеша, у младшей версии 3 Гбайт.
Тесты Samsung 850 EVO
| Модель | Данные |
|---|---|
| Корпус | Aerocool DreamBox |
| Материнская плата | ASUS MAXIMUS VIII RANGER |
| Процессор | Intel Core i7-6700K Skylake (oc - 4700 МГц) |
| Кулер для процессора | DeepCool Captain 240 EX |
| Видеокарта | Palit GTX1080 Super JetStream |
| Оперативная память | Kingston HyperX Fury DDR4 32GB (oc - 2700 МГц) |
| Жесткий диск | Intel SSD 530 240 ГБ |
| Жесткий диск 2 | Crucial MX300 750 GB |
| Жесткий диск 2 | Kingston SSDNow UV400 480 GB |
| Блок питания | Zalman ZM850-EBT |
| Аудио | Creative Sound BlasterX G5 |
| Монитор | iiyama ProLite E2773HDS |
| Монитор 2 | Philips 242G5DJEB |
| Мышка |
Накопители серии Samsung 850 Evo оцениваются экспертами как сочетающие в себе невысокую цену и при этом крайне впечатляющую производительность. По скорости работы соответствующие девайсы сопоставимы со многими премиальными моделями дисков. В чем заключаются основные технологические преимущества данных решений? Как оценивают их эффективность пользователи?
Общие сведения об устройстве
Samsung 850 Evo — это серия накопителей типа SSD. Данные девайсы характеризуются большой вместимостью и высоким уровнем надежности. Востребованы при решении задач, связанных с обеспечением высокоскоростной передачей данных.
Устройства Samsung 850 Evo выпускаются с использованием архитектуры 3D V-VAND, которая характеризуется применением ячеек цилиндрической формы, приспособленных к устранению помех, возникающих при взаимодействии компонентов устройства. Обеспечение большой емкости устройств осуществляется за счет размещения элементов в несколько слоев. При этом надежность хранения файлов, а также скорость их передачи не снижаются.
В числе иных примечательных функций девайсов рассматриваемой серии — возможность переключения на режим RAPID, при котором накопитель начинает работать на еще более высокой скорости. Это достигается, в частности, за счет того, что девайс начинает использовать доступный объем оперативной памяти ПК в качестве кеша.
Устройство Samsung 850 Evo функционирует с применением эффективных технологий энергосбережения. По подсчетам специалистов, в ряде режимов девайс способен потреблять в десятки раз меньший объем электроэнергии в сравнении с устаревшими моделями накопителей.
В дисках рассматриваемой серии реализован ряд высокотехнологичных решений в сфере обеспечения безопасности файлов. В числе таковых - AES-шифрование, динамическая теплозащита.
Можно отметить, что внедрению на рынок устройств серии Samsung 850 Evo предшествовала успешная работа корейской корпорации по созданию и обеспечению успешных продаж девайсов серий SSD 830, а также 840 Pro, которые были отнесены экспертами к лучшим устройствам типа SSD в верхнем ценовом сегменте. Не забыла компания и о продукции для массового сегмента: так, на рынок были выведены девайсы 840 и 840 EVO.
Впоследствии корпорация Samsung продолжила наработки в области производства многослойных кристаллов, и одним из результатов их практического внедрения стал выпуск 32-слойных накопителей линейки 850 Evo. Данный девайс был выведен в массовом сегменте. В премиальном же Samsung представил продукт 850 Pro, характеризующийся исключительно высоким сочетанием производительности и надежности.
Накопитель как продукт технологической модернизации
Какими же особенностями, в свою очередь, характеризуются накопители серии 850 Evo?
Выше мы отметили, что в данных устройствах реализованы лучшие наработки Samsung по предыдущим продуктам. Так, те основные компоненты, что были инсталлированы в продукты серии 840 — TLC-память, брендированный контроллер, а также решение TurboWrite, были продублированы и в новой серии девайсов. Кроме того, в ней был реализован также ряд обновлений — в частности, вместо фирменного контроллера MEX производитель установил усовершенствованный аппаратный компонент MGX.
Определенные дополнения получила также технология TurboWrite в серии Samsung 850 Evo.
Технология 3D V-VAND
Самый, вероятно, примечательный компонент новой серии накопителей — трехмерная память, представляющая собой объединение решений 3D NAND и TLC NAND. Новая технология позволила устранить недостатки, характеризующие применение двух предшествующих по отдельности.
Применение концепции 3D V-NAND позволило компании Samsung реализовать в новом продукте техпроцесс в 40 нм при сохранении возможности использовать кристаллы с площадью, меньшей, чем, в частности, при применении обычной технологии MLC NAND, что произведена по техпроцессу в 16 нм. В свою очередь, ячейки в 40 нм характеризуются большей устойчивостью к износу, а также стабильностью в работе.
Еще одно преимущество соответствующей обновленной технологии, с использованием которой работает SSD-накопитель Samsung 850 Evo — обеспечение более высокой скорости работы девайса за счет снижения длительности операций чтения и записи. Благодаря записи в одну отдельную ячейку памяти не 2, а 3 бит данных, емкость используемых кристаллов в девайсах рассматриваемой серии может достигать 128 Гбит. Более того, данные кристаллы имеют площадь, которая примерно в 2 раза меньше, чем у соответствующих компонентов TLC NAND в обычной модификации с аналогичной емкостью, что произведены по техпроцессу в 19 нм.
Можно отметить, что фирма-производитель дает гарантию на девайсы длительностью в 5 лет. Это один из самых конкурентных показателей на рынке.
Полезно будет рассмотреть, как выглядят соответствующие устройства.
Внешний вид накопителей
Вне зависимости от емкости Samsung 850 Evo - 250GB или 1 ТБ, все девайсы линейки выглядят практически одинаково. Снаружи они имеют компактный — толщиной в 7 мм, алюминиевый корпус черного цвета. На оборотной его стороне располагается этикетка, из содержания которой можно узнать точное название модели накопителя, а также ее серийный номер.
Если открыть крышку корпуса, то выяснится, что, в зависимости от конкретного объема диска, содержимое может различаться. Так, например, в модели с емкостью в 250 ГБ установлена печатная плата с размерами меньшими, чем у модификации в 500 ГБ. Но в обоих случаях величина соответствующего аппаратного компонента — небольшая, то есть, можно сказать, что корпус устройства мог бы быть еще тоньше, в нем есть незаполненные пространства.
Инсталляция накопителя на ПК
Каким образом инсталлируется в ПК накопитель Samsung 850 Evo? Установка девайса осуществляется очень просто. Большинство корпусов для современных ПК имеют слоты для инсталляции дисков размера, который имеет устройство 850 Evo — в 2,5 дюйма. Необходимо расположить накопитель соответствующим образом, а после подключить к нему 2 кабеля - питания, а также передачи данных.
После этого необходимо переключить контроллер ПК в режим AHCI. Для этого, правда, может потребоваться обновление версии BIOS — с использованием прошивки с официального сайта фирмы-производителя материнской платы ПК. Распознается накопитель в системе без проблем. При необходимости можно воспользоваться брендированными программами для настройки системы и осуществления мониторинга работы диска.
Ресурсы накопителей
Используя SSD Samsung 850 Evo 1TB, можно записывать на него порядка 82 ГБ файлов в день. Аналогичный ресурс имеет диск емкостью в 500 ГБ. Немного меньший, но тем не менее впечатляющий ресурс, имеют младшие модификации девайсов — на 120, 250 ГБ. На них можно записывать порядка 42 ГБ информации в день.
Таким образом, рассматриваемая серия SSD-накопителей рассчитана на долгий срок службы. Модели даже с самой небольшой емкостью в линейке Samsung 850 Evo — 120 ГБ или же 250 ГБ, обладают ресурсом, сопоставимым с тем, что характеризует многие премиальные модели.
Скорость работы
Скорость работы девайсов рассматриваемой серии также впечатляет экспертов. При этом показатели, характеризующие младшую модель линейки 850 Evo, как показывают тесты, проведенные экспертами, не слишком уступают тем, что имеет премиальная модель, 850 Pro.
Во многом хорошие показатели скорости достигаются за счет применения технологии TurboWrite, а также использования быстрого кэша. Который в модели Samsung 850 Evo 250GB составляет 3 ГБ, в 500-гигабайтной модификации — 6 ГБ, а в диске с емкостью в 1 ТБ величина кеша — 12 ГБ.
Возможности рассматриваемых накопителей в части обеспечения скорости записи данных вновь позволяют говорить об их конкурентности в отношении премиальных продуктов.
Тестирование накопителей: скорость чтения и записи
Изучим теперь практические результаты изучения экспертами возможностей накопителей рассматриваемой серии. Что касается режима чтения — высокие технологии, реализованные в соответствующих девайсах, позволяют здесь достичь самых высоких показателей.
Но касательно записи результаты тестов в зависимости от конкретной модификации девайса могут быть разными. Так, например, накопитель емкостью в 500 ГБ имеет показатели, сопоставимые с теми, что характеризуют старшую модель. В этом смысле при выборе - Samsung 850 Pro или 850 Evo - пользователь получает явное преимущество в цене, если предпочтет вторую модель, притом что по скорости она практически не уступит старшей модификации.
В свою очередь, модель в 250-гигабайтной версии существенно уступает более емкой версии по скорости последовательной записи. Во многом это связано с относительно небольшим размером кеша, который имеет соответствующая модификация накопителя — его величина составляет 3 ГБ. Которой, вместе с тем, достаточно для решения большого количества пользовательских задач на практике.
Тестирование накопителей: скорость случайного чтения
Еще один интересный показатель производительности устройств линейки Samsung 850 Evo - тест скорости случайного чтения накопителей. Благодаря оснащенности обновленным контроллером MGX, девайсы значительно улучшили производительность в сравнении с предыдущими модификациями, как отмечают специалисты.
При этом особенно высокие результаты показала 500-гигабайтная модель накопителя. Ее показатели позволяют ее охарактеризовать фактически как лидирующий продукт в сегменте в контексте рассмотрения производительности в соответствующем режиме.
Тестирование накопителей: скорость случайной записи
Какова же производительность устройства в режиме скорости случайного чтения?
Как показывают тесты, проведенные экспертами — здесь также все в порядке. Правда, по мере увеличения показателя глубины очереди производительность девайсов линейки 850 Evo снижается. Но, даже несмотря на данную особенность, устройства можно охарактеризовать как исключительно конкурентоспособные в соответствующем режиме использования.
Тестирование накопителей: копирование файлов
В числе самых, возможно, показательных критериев оценки производительности накопителя — это скорость копирования файлов, достигаемая при использовании того или иного устройства. Здесь показатели девайсов в рассматриваемой модификации — опять же, очень приличные. Особенно если говорить о модификации диска с емкостью в 500 ГБ.
В свою очередь, показатели 250-гигабайтной модификации несколько скромнее. Но тем не менее это способствует высокой оценке конкурентоспособности устройства при применении в соответствующем режиме, который в целом отражает типичную пользовательскую нагрузку на накопитель.
В некоторых режимах работы с файлами разница между модификациями девайса в 200 и 500 ГБ — совершенно незначительна. Поэтому на практике пользователь может и не заметить ее вовсе.
В целом тесты производительности устройств в линейке 850 Evo от Samsung позволяет говорить о том, что корейский бренд обеспечил присутствие на рынке во многом уникального продукта: имеющего, с одной стороны, относительно невысокую цену, с другой — технологические преимущества, делающие его сопоставимым по функциям и производительности с премиальными решениями.
Данный подход, как считают эксперты, Samsung получил возможность реализовать за счет целенаправленной и грамотной работы по последовательному совершенствованию наработок прошлых лет, а также дополнению их актуальными новшествами, придающими устройствам еще большую конкурентоспособность.
В течение последних лет Samsung смогла стать одним из ключевых игроков на рынке твердотельных накопителей. Стратегия компании заключается в полной вертикальной интеграции производства от начала и до конца, что позволяет ей держать первенство при внедрении новых перспективных технологий. Занимаясь одновременно разработкой и выпуском как контроллеров, так и флеш-памяти, компания получает огромное инженерное преимущество, поскольку ввод в эксплуатацию и отладка новых дизайнов не требуют никакого стороннего участия. И примеры реализации этого преимущества мы уже наблюдали: здесь уместно вспомнить SSD серии 840 , которые стали первыми массовыми продуктами, базирующимися на трёхбитной TLC NAND. Именно благодаря этой технологии Samsung смогла покорить рынок массовых флеш-дисков. Использующие недорогую TLC-память собственного самсунговского производства накопители серии 840, а впоследствии и 840 EVO, предложили отличное сочетание производительности и цены, что в конечном итоге сделало их одними из самых популярных решений.
Теперь же, спустя два года с момента появления TLC NAND, Samsung вновь совершает мощный технологический прорыв и выпускает новаторские накопители серии 850 Pro — первые потребительские SSD, в которых применена принципиально новая MLC NAND с трёхмерной компоновкой. Несмотря на то, что Samsung 850 Pro официально на российский рынок пока не поставляется, нашей лаборатории удалось заполучить и протестировать экземпляр многообещающего твердотельного накопителя . Станет ли этот SSD достойным продолжателем традиций модели 840 Pro и займёт ли он место лучшего флеш-диска для персональных компьютеров, мы выясним в этом материале.
⇡ Samsung V-NAND: новая парадигма флеш-памяти — в действии
Память типа NAND изменила весь рынок хранения данных. Накопители, основанные не на традиционных жёстких магнитных дисках, а на флеш-памяти, смогли установить фундаментально более высокий уровень производительности, и это сделало их одной из наиболее интересных компьютерных технологий последнего десятилетия. В то же время NAND-память — далеко не новое изобретение. На самом деле она появилась ещё в 70-х годах прошлого века, но долгое время просто не могла проникнуть в устройства широкого потребления в силу своей дороговизны. Однако технологический прогресс в конце концов смог сделать такую память приемлемой по цене, и теперь представить себе современный производительный компьютер без SSD, начинённого MLC или TLC NAND, стало попросту невозможно.
В деле снижения стоимости флеш-памяти основную роль сыграло совершенствование полупроводниковых технологических процессов, которые используются для производства кристаллов NAND. Уменьшение норм производства снижает площадь получающихся кристаллов, повышая плотность хранения в них информации, что в конечном итоге приводит к уменьшению себестоимости твердотельных накопителей. Например, массовое проникновение SSD на потребительский рынок началось при переводе производства кристаллов флеш-памяти с 50-нм процессов на 30-нм. Сейчас же в ходу техпроцессы с нормами менее 20 нм, и стоимость флеш-дисков вполне закономерно продолжает падать.
Однако следует иметь в виду, что совершенствование техпроцессов до бесконечности невозможно. Более того, производители флеш-памяти уже ощущают скорое и неминуемое приближение технологических пределов. Дело в том, что с утончением производственных норм и уменьшением геометрических размеров транзисторов у флеш-памяти снижаются характеристики надёжности. Например, память, выпускавшаяся по 50-нм технологии, была способна выдержать до 10 тысяч циклов перезаписи, сегодняшняя же 20-нм NAND в лучшем случае рассчитана на 3 тысячи циклов программирования-стирания. Иными словами, на пути дальнейшей масштабируемости традиционной NAND-памяти, на которую, как и на прочие полупроводниковые устройства, пока ещё распространяется закон Мура, встают серьёзные препятствия.
К счастью, всё это вовсе не означает, что прогресс будет замедляться. На помощь приходят принципиально новые идеи, вносящие изменения в конструкционные принципы флеш-памяти и позволяющие увеличить плотность хранения информации без снижения размеров ячеек.
Первой такой идеей стала попытка увеличить разрядность ячеек при переходе от SLC NAND к MLC- и TLC-памяти, где в каждой ячейке хранится не один, а два или три бита информации. Достигается это внедрением большего числа сигнальных напряжений. В то время как ячейки SLC используют лишь два уровня напряжения, соответствующие логическим состояниям 0 и 1, в MLC применяется уже четыре напряжения, а в TLC — восемь. Однако на самом деле этот путь — тупиковый. Если переход к MLC можно считать уже делом состоявшимся, то с TLC NAND возникают очень серьёзные проблемы, что, как показывает практика, сдерживает её распространение. Дело в том, что использование большого числа напряжений в плавающем затворе ячейки возможно лишь в том случае, если этот затвор достаточно массивный и способен удерживать значительное число электронов. Но внедрение техпроцессов с тонкими нормами, напротив, сокращает размеры ячеек, поэтому выпуск TLC-памяти по технологиям 10-нм класса становится экономически невыгодным. Снижается не только выход годных кристаллов, но и надёжность распознавания сигналов, что требует внедрения в управляющую логику более сложных схем аналого-цифрового преобразования и контроля целостности данных. Плюс остро встаёт и ещё одна серьёзная проблема — взаимное влияние ячеек, электрическое поле которых порождает интерференционные процессы.
Очевидно, требуется какой-то иной подход. И таким подходом, который должен стать катализатором дальнейшего развития рынка флеш-памяти в течение ближайших нескольких лет, является трёхмерная (3D) NAND. Его суть заключается в том, что вместо увеличения плотности хранения данных на двумерной плоскости полупроводникового кристалла предлагается перейти к использованию вертикального измерения и располагать ячейки не только планарно, но и слоями.
Первой на массовое производство такой памяти смогла выйти компания Samsung, в исполнении которой эта память называется V-NAND (от слова Vertical), в то время как прочие производители, такие как Micron, Toshiba, SanDisk и SK Hynix, собираются приобщиться к перспективной технологии в течение 2015 года.
Самое интересное — 3D NAND делает совершенно ненужной гонку нанометров. Например, та же компания Samsung после внедрения для изготовления своей планарной памяти 19-нм технологии не стала делать следующий шаг, а, напротив, с переходом на выпуск V-NAND откатилась на 40-нм техпроцесс. Высокую же плотность хранения информации, не уступающую плотности обычной NAND, которая выпускается другими производителями по 16-нм и 19-нм техпроцессам, обеспечила многослойная компоновка. Но основной выигрыш нашёлся с другой стороны: зрелые технологии и достаточно крупные полупроводниковые элементы заметно увеличили ресурс памяти и позволили избежать проблем с низким выходом годных кристаллов.
Пробные твердотельные накопители, основанные на V-NAND первого поколения, Samsung смогла представить ещё в прошлом году. Такие новаторские SSD, ориентированные на серверное применение, отлично себя зарекомендовали. Использовавшаяся в них память, которая совмещает 24 вертикальных уровня с ячейками, обеспечила увеличившуюся на 20 процентов производительность, примерно вдвое повысила надёжность и заметно улучшила экономичность флеш-дисков. Это дало Samsung все основания для продолжения разработок в том же направлении. И вот теперь компания готова внедрять новую технологию и на массовый рынок: в арсенале Samsung появилась V-NAND второго поколения с 32 вертикальными уровнями и новый потребительский накопитель на её основе — SSD 850 Pro.
Надо заметить, что V-NAND не просто предполагает расположение ячеек слоями, но и вносит некоторые изменения в базовое устройство ячеек флеш-памяти. Вместе со структурными преобразованиями Samsung воспользовалась технологией Charge Trap Flash (CTF) — «флеш с ловушкой заряда», разработанной инженерами компании ещё в 2006 году. Идея состоит в том, что заряд хранится не в плавающем затворе из легированного поликристаллического кремния, а в тонком непроводящем слое из нитрида кремния. Такая технология легко адаптируется для трёхмерного дизайна: диэлектрик помещается между управляющим затвором и полупроводниковым каналом концентрическими цилиндрами, что в конечном итоге увеличивает надёжность всей схемы и снижает вероятность возникновения структурных дефектов при многослойном производстве. К тому же технология CTF позволяет снизить уровень напряжений, необходимых для программирования ячеек. А это, естественно, положительно сказывается на их времени жизни.
В результате ресурс Samsung V-NAND ощутимо вырос: те самые 32-уровневые кристаллы флеш-памяти, которые попали в Samsung 850 Pro, способны переносить до 35 тысяч циклов программирования-стирания. То есть они на порядок выносливее современной плоской MLC NAND, которая обычно используется в потребительских SSD. Кроме того, понижение программирующих напряжений положительно сказывается как на энергопотреблении, так и на производительности при записи.
Ещё одно важное преимущество V-NAND — её компактность. Выпускаемые по 40-нм технологии полупроводниковые кристаллы V-NAND второго поколения, используемые в Samsung 850 Pro, имеют ёмкость 86 Гбит, при этом их площадь составляет порядка 95 мм 2 . Таким образом, плотность хранения информации в V-NAND превышает плотность размещения данных в 16-нм планарных кристаллах флеш-памяти производства Micron примерно на 20 процентов. К тому же Samsung, осуществляя полный производственный цикл с начала и до конца, обладает возможностью упаковки до 16 ядер V-NAND в одну микросхему. И это значит, что максимальный объём одной микросхемы трёхмерной флеш-памяти может достигать 172 Гбайт.
Конечно, многие плюсы технологии V-NAND проявятся лишь впоследствии. Например, применяемый сегодня интерфейс SATA 6 Гбит/с вкупе с протоколом AHCI не даёт раскрыть всю скорость новой памяти, и в будущих моделях SSD с интерфейсом PCI Express она сможет заиграть новыми красками. Но самое главное, технология трёхмерной памяти прекрасно масштабируема. Ёмкость простых плоских чипов NAND вряд ли превысит 128 Гбит, а V-NAND позволяет беспрепятственно добавлять новые уровни и таким образом наращивать ёмкость. Так, в планах Samsung стоит выпуск в 2017 году терабитных кристаллов, и нет причин, по которым этот рубеж может быть не взят. Попутно производимая по достаточно зрелым техпроцессам V-NAND может легко быть переведена на TLC-дизайн, и это не приведёт к катастрофическому снижению надёжности. Однако на данный момент такие возможности даже не рассматриваются, и в течение ближайших лет упор будет делаться именно на масштабировании памяти в вертикальном измерении.
В ближайшее время мы можем ждать повсеместного внедрения V-NAND во многих продуктах Samsung. Ради этой памяти компания запустила специальный завод в китайском городе Сиань, который к концу этого года должен выйти на полную мощность. Любопытно, что применяемый на этом заводе 40-нм техпроцесс позволил обойтись достаточно дешёвым производственным оборудованием, причём добавление в трёхмерную NAND новых слоёв практически не требует каких-либо дополнительных инвестиций. Например, 32-слойная память выпускается на тех же самых технологических линиях, где раньше производилась память с 24 слоями. И это значит, что ещё одним плюсом новой технологии выступает возможность экономии на техническом переоснащении производства при повышении плотности хранения данных.
Получается, что V-NAND может похвастать всеми возможными преимуществами, причём сразу. Она обладает более низкими латентностями, очень надёжна, предлагает высокую плотность хранения информации, энергоэффективна, а себестоимость её производства сравнительно невысока. И если такую память поместить в накопитель с современным контроллером, то, кажется, должна получиться потрясающая модель, которая будет превосходить всё то, что было выпущено до сих пор. Вышла ли такая модель у Samsung? Давайте посмотрим на 850 Pro подробнее.
⇡ Samsung 850 Pro: технические характеристики
Новый флагманский накопитель Samsung 850 Pro представляет собой дальнейшее логическое продолжение линейки потребительских SSD компании. При этом Samsung внедряет инновации строго последовательно, и V-NAND — единственное принципиальное преимущество 850 Pro перед предшественниками. Этот накопитель продолжает использовать привычный интерфейс SATA 6 Гбит/с и основывается на хорошо знакомом потребителям восьмиканальном контроллере MEX, который давно применяется в серии 840 EVO. Причём контроллер MEX, базисом которого выступают три ядра с ARM-архитектурой, в новой модели сохранил даже свою рабочую частоту — 400 МГц. Однако справедливости ради заметим, что в прошлом флагманском флеш-диске Samsung, 840 Pro, аналогичный по архитектуре контроллер MDX работал на частоте 300 МГц.
В то же время микропрограмма Samsung 850 Pro переписана практически полностью. Поддержка V-NAND реализуется именно через неё, и предлагаемые этой памятью более низкие латентности при записи и стирании информации, более высокий ресурс ячеек и все прочие характерные особенности требуют специальных оптимизаций.
В результате серия Samsung 850 Pro получила следующий набор характеристик:
| Производитель | Samsung | |||
| Серия | 850 Pro | |||
| Модельный номер | MZ-7KE128 | MZ-7KE256 | MZ-7KE512 | MZ-7KE1T0 |
| Форм-фактор | 2,5 дюйма | |||
| Интерфейс | SATA 6 Гбит/с | |||
| Ёмкость | 128 Гбайт | 256 Гбайт | 512 Гбайт | 1 Тбайт |
| Конфигурация | ||||
| Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производитель | Samsung 86 Гбит 40-нм MLC V-NAND | |||
| Микросхемы памяти: число / количество NAND-устройств в чипе | 2/4 + 2/2 | 2/8 + 2/4 | 4/8 + 4/4 | 4/16 + 4/8 |
| Контроллер | Samsung MEX | |||
| Буфер: тип, объем | LPDDR2-1066, 256 Мбайт |
LPDDR2-1066, 512 Мбайт |
LPDDR2-1066, 512 Мбайт |
LPDDR2-1066, 1 Гбайт |
| Производительность | ||||
| Макс. устойчивая скорость последовательного чтения | 550 Мбайт/с | 550 Мбайт/с | 550 Мбайт/с | 550 Мбайт/с |
| Макс. устойчивая скорость последовательной записи | 470 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с |
| Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт) | 100000 IOPS | 100000 IOPS | 100000 IOPS | 100000 IOPS |
| Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт) | 90000 IOPS | 90000 IOPS | 90000 IOPS | 90000 IOPS |
| Физические характеристики | ||||
| Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись | 0,4 Вт/3,0-3,3 Вт | |||
| Ударопрочность | 1500 g | |||
| MTBF (среднее время наработки на отказ) | 2,0 млн часов | |||
| Ресурс записи | 150 Тбайт | |||
| Габаритные размеры: ДхВхГ | 100х69,85х6,8 мм | |||
| Масса | 66 г | |||
| Гарантийный срок | 10 лет | |||
| Рекомендованная цена | $130 | $200 | $400 | $700 |
Несмотря на то, что во многом производительность Samsung 850 Pro сдерживается возможностями интерфейса SATA 6 Гбит/c, даже простые формальные спецификации позволяют прочувствовать скрытую в этом флеш-приводе мощь. Обратите внимание на скоростные характеристики младшей модели ёмкостью 128 Гбайт. Данная модификация практически не отстаёт от старших собратьев, несмотря на то, что контроллер в ней не может воспользоваться чередованием устройств в своих каналах. Типичной скоростью записи для 128-гигабайтных SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с выступают величины порядка 300 Мбайт/с, но Samsung 850 Pro аналогичного объёма выдаёт почти возможный максимум — 470 Мбайт/с. Это явно указывает на значительно более высокие скорости записи, обеспечиваемые именно технологией V-NAND. Очень похоже, что, когда Samsung наконец выпустит основанный на V-NAND флеш-привод с интерфейсом PCI Express, это будет настоящая бомба. Впрочем, до этого прекрасного момента ещё надо дожить.
Второе преимущество V-NAND, явно прослеживаемое в таблице характеристик Samsung 850 Pro, — высокая надёжность. Все модификации, включая и самую младшую модель ёмкостью 128 Гбайт, имеют декларируемый ресурс записи на уровне 150 Тбайт, то есть по 80 Гбайт в день в течение пятилетнего периода. И это — не просто больше, чем обещано для любой другой модели потребительского SSD. Производитель подчёркивает, что такой ресурс установлен не из технологических, а из политических соображений, чтобы Samsung 850 Pro не создавал внутреннюю конкуренцию серверным моделям с более высокой гарантированной надёжностью. На самом же деле объём данных, который можно записать на новые SSD с трёхмерной флеш-памятью, измеряется петабайтами. Иными словами, проблема исчерпания ресурса записи при типичном десктопном использовании для Samsung 850 Pro стоять вообще не должна. Именно поэтому срок гарантийного обслуживания продлён до 10 лет.
Хочется отметить реализацию в Samsung 850 Pro целого ряда технологий, полезных при установке этого накопителя в мобильные компьютеры. В частности, в этом SSD улучшилась поддержка состояния DevSleep, позволяющего отправлять накопитель в режим сна с потреблением порядка 2 мВт. Также контроллером поддерживается температурный мониторинг, причём при нагреве накопителя до критических состояний автоматически включается троттлинг.
Реализовано в Samsung 850 Pro и аппаратное шифрование по алгоритму AES с 256-битным ключом. Как и в более ранних SSD компании, криптографический движок совместим со спецификациями Windows eDrive (IEEE 1667) и TCG Opal 2.0, а это значит, что управление шифрованием возможно из среды операционной системы, например через стандартное средство BitLocker.
К сказанному остаётся только добавить, что Samsung относится к тому небольшому числу производителей, которые заботятся о предоставлении пользователям удобных сервисных утилит. С Samsung 850 Pro прекрасно работает программа Samsung Magician, обладающая исчерпывающим набором возможностей, включая обновление прошивки, мониторинг состояния флеш-диска, оптимизацию операционной системы и прочее.
Отдельно стоит сказать о реализованной в Samsung Magician программной технологии повышения быстродействия RAPID, которая может работать в паре с новинкой и позволяет выделить часть оперативной памяти для кеширования обращений к SSD. При этом скорости обмена данными, естественно, возрастают, но платой за это выступает риск потери закешированной в памяти информации в случае внезапных отключений питания, перезагрузок или зависаний системы. Одновременно с выпуском Samsung 850 Pro производитель обновил технологию RAPID до версии 2.0, и теперь она может выделять под кеш либо 1 Гбайт памяти, либо 4 Гбайт — в зависимости от того, больше или меньше 16 Гбайт оперативной памяти установлено в системе.
⇡ Внешний вид и внутреннее устройство
На тестировании у нас побывала модификация Samsung 850 Pro ёмкостью 256 Гбайт. С точки зрения характеристик эта модель, как и её собратья на 512 Гбайт и 1 Тбайт, обладает максимально возможной производительностью.
|
|
|
Внешне Samsung 850 Pro мало отличается от предыдущих флеш-дисков Samsung. Для этого SSD используется точно такой же 2,5-дюймовый корпус высотой 7 мм, как в прошлой флагманской модели, 840 Pro. Внешний окрас — чёрный, на лицевой поверхности краской нанесён логотип Samsung и оранжевый квадрат, в том или ином виде присутствующий на всех SSD компании такого же форм-фактора. На оборотной стороне корпуса имеется этикетка, из которой можно почерпнуть информацию о названии и ёмкости модели, её артикуле и серийном номере.
Внутренности Samsung 850 Pro 256 Гбайт куда любопытнее. В первую очередь в глаза бросается то, что в основе этого SSD используется печатная плата урезанного размера. На этой плате размещено всего шесть микросхем.
|
|
|
Первая микросхема — собственно контроллер Samsung MEX. Следует отметить, что на нём нет никаких теплопроводящих прокладок, и с корпусом он не соприкасается. То есть производитель уверен, что тепловыделение контроллера незначительно. Над контроллером установлена микросхема памяти. В нашем случае это LPDDR2-1067 объёмом 512 Мбайт, используемая в качестве буфера.
Что касается оставшихся четырёх микросхем с флеш-памятью, то их набор оказался немного необычным. Поскольку ёмкость кристаллов V-NAND, используемых в Samsung 850 Pro, составляет 86 Гбит, в 256-гигабайтный SSD пришлось поместить два разных типа микросхем: две микросхемы с четырьмя ядрами и две микросхемы с восемью ядрами. Таким образом, контроллер по восьми каналам адресует 24 ядра, то есть пользуется трёхкратным чередованием устройств в каждом канале. Однако, как мы видели по характеристикам производительности, никакой проблемой это не является и Samsung 850 Pro 256 Гбайт при любых вариантах нагрузки показывает максимально возможную скорость.
Если сложить 24 яда по 86 Гбит вместе, то получается, что полная ёмкость флеш-памяти в Samsung 850 Pro 256 Гбайт на самом деле составляет 258 честных ГиБ. Из них пользователю доступны лишь традиционные 238,4 ГиБ, а оставшиеся 7,6 процента ёмкости отводятся на работу технологий сборки мусора, выравнивания износа и, наверное, на подменный фонд, необходимость которого для памяти с ресурсом в 35 тысяч циклов перезаписи вызывает некоторые сомнения.
Однако печатная плата Samsung 850 Pro лишена каких бы то ни было батарей конденсаторов, то есть в этом SSD не предусмотрено специальных средств сохранения целостности информации при внезапном отключении питания. Это — ещё одна причина, по которой потребительский накопитель, построенный на V-NAND с практически бесконечным ресурсом, отнести к серверным решениям всё-таки невозможно.
⇡ Методика тестирования
Тестирование проводится в операционной системе Microsoft Windows 8.1 Professional x64 with Update, корректно распознающей и обслуживающей современные твердотельные накопители. Это значит, что в процессе прохождения тестов, как и при обычном повседневном использовании SSD, команда TRIM поддерживается и активно задействуется. Измерение производительности выполняется с накопителями, находящимися в «использованном» состоянии, которое достигается их предварительным заполнением данными. Перед каждым тестом накопители очищаются и обслуживаются с помощью команды TRIM. Между отдельными тестами выдерживается 15-минутная пауза, отведённая для корректной отработки технологии сборки мусора. Во всех тестах, если не указано иное, используются рандомизированные несжимаемые данные.
Используемые приложения и тесты:
- Iometer 1.1.0
- Измерение скорости последовательного чтения и записи данных блоками по 256 Кбайт (наиболее типичный размер блока при последовательных операциях в десктопных задачах). Оценка скоростей выполняется в течение минуты, после чего вычисляется средний показатель.
- Измерение скорости случайного чтения и записи блоками размером 4 Кбайт (такой размер блока используется в подавляющем большинстве реальных операций). Тест проводится дважды — без очереди запросов и с очередью запросов глубиной 4 команды (типичной для десктопных приложений, активно работающих с разветвлённой файловой системой). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
- Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с 4-килобайтными блоками от глубины очереди запросов (в пределах от одной до 32 команд). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
- Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с блоками разного размера. Используются блоки объёмом от 512 байт до 256 Кбайт. Глубина очереди запросов в течение теста составляет 4 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
- Измерение производительности при смешанной многопоточной нагрузке и установление её зависимости от соотношения между операциями чтения и записи. Используются последовательные операции чтения и записи блоков объёмом 128 Кбайт, выполняемые в два независимых потока. Соотношение между операциями чтения и записи варьируется с шагом 10 процентов. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
- Исследование падения производительности SSD при обработке непрерывного потока операций случайной записи. Используются блоки размером 4 Кбайт и глубина очереди 32 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Продолжительность теста составляет два часа, измерения моментальной скорости проводятся ежесекундно. По окончании теста дополнительно проверяется способность накопителя восстанавливать свою производительность до первоначальных величин за счёт работы технологии сборки мусора и после отработки команды TRIM.
- CrystalDiskMark 3.0.3b
Синтетический тест, выдающий типовые показатели производительности твердотельных накопителей, измеренные на 1-гигабайтной области диска «поверх» файловой системы. Из всего набора параметров, которые можно оценить с помощью этой утилиты, мы обращаем внимание на скорость последовательного чтения и записи, а также на производительность произвольных чтения и записи 4-килобайтными блоками без очереди запросов и с очередью глубиной 32 команды. - PCMark 8 2.0
Тест, основанный на эмулировании реальной дисковой нагрузки, которая характерна для различных популярных приложений. На тестируемом накопителе создаётся единственный раздел в файловой системе NTFS на весь доступный объём, и в PCMark 8 проводится тест Secondary Storage. В качестве результатов теста учитывается как итоговая производительность, так и скорость выполнения отдельных тестовых трасс, сформированных различными приложениями.
⇡ Тестовый стенд
В качестве тестовой платформы используется компьютер с материнской платой ASUS Z97-Pro, процессором Core i5-4590 со встроенным графическим ядром Intel HD Graphics 4600 и 16 Гбайт DDR3-2133 SDRAM. Диски с SATA-интерфейсом подключаются к контроллеру SATA 6 Гбит/с, встроенному в чипсет материнской платы, и работают в режиме AHCI. Используется драйвер Intel Rapid Storage Technology (RST) 13.1.0.1058.
Объём и скорость передачи данных в бенчмарках указываются в бинарных единицах (1 Кбайт = 1024 байт).
⇡ Участники тестирования
- Crucial M550 256 Гбайт (CT256M550SSD1, прошивка MU01);
- Intel SSD 730 480 Гбайт (SSDSC2BP480G4, прошивка L2010400);
- OCZ Vector 150 240 Гбайт (VTR150-25SAT3-240G, прошивка 1.2);
- Plextor M5 Pro Xtreme 256 Гбайт (PX-256M5P, прошивка 1.07);
- Samsung 840 Pro 256 Гбайт (MZ-7PD256, прошивка DXM06B0Q);
- Samsung 850 Pro 256 Гбайт (MZ-7KE256, прошивка EXM01B6Q);
- SanDisk Extreme II 240 Гбайт (SDSSDXP-240G, прошивка R1311).
⇡ Производительность
Последовательные операции чтения и записи, IOMeter
Как и было обещано спецификациями, скорость последовательных операций у Samsung 850 Pro упирается в пропускную способность интерфейса SATA 6 Гбит/с. Иными словами, здесь мы не имеем возможности узнать, насколько производительна построенная на V-NAND платформа Samsung, но в любом случае более быстрого в последовательном чтении или записи твердотельного накопителя с SATA-интерфейсом вы не найдёте.
⇡ Случайные операции чтения и записи, IOMeter
Зато при случайном чтении мощность нового флеш-привода Samsung отлично прослеживается. Мы действительно имеем дело с потребительским SSD, предлагающим высочайшую на сегодняшний день производительность. И хотя пара графиков выше относится только к операциям произвольного чтения, такой вывод можно перенести на большую часть дисковой активности, свойственной персональным компьютерам. Именно операции случайного чтения с невысокой глубиной очереди запросов составляют основную долю нагрузки, которая ложится на современные диски, а Samsung 850 Pro, как мы видим, прекрасно под неё «заточен».
При операциях случайной записи картина не столь однозначная. При отсутствии очереди запросов Samsung 850 Pro неожиданно уступает в скорости OCZ Vector 150 и Crucial M550. Однако рост глубины очереди возвращает всё на свои места, и Samsung 850 Pro вновь занимает верхнюю строчку на диаграмме.
Давайте теперь взглянем на то, как зависит производительность Samsung 850 Pro от глубины очереди запросов при работе с 4-килобайтными блоками.
При чтении с разной глубиной очереди запросов Samsung 850 Pro — однозначно лучший вариант из накопителей для SATA 6 Гбит/с , присутствующих на рынке. При записи с длиной очереди в 1 или 2 команды он всё же немного уступает Crucial M550 и OCZ Vector 150. Однако сказать, что новинка Samsung недостаточно быстра, язык не поворачивается и здесь.
Следующая пара графиков отражает зависимость производительности случайных операций от размера блока данных.
С блоками любой длины на любых операциях Samsung 850 Pro работает одинаково хорошо. В обоих случаях линия, отображающая его производительность, как бы окаймляет показатели прочих накопителей сверху. И это означает, что нет ни одного варианта объёма блоков, на котором рассматриваемый SSD демонстрировал бы не лучший результат.
Тестирование смешанной нагрузки — новое добавление в нашу методику испытаний SSD. По мере удешевления твердотельные накопители перестают использоваться в качестве исключительно системных и становятся обычными рабочими дисками. В таких ситуациях на SSD ложится не только рафинированная нагрузка в виде записи или чтения, но и смешанные запросы, когда операции чтения и записи инициируются разными приложениями и поступают одновременно.
Однако работа в дуплексном режиме для современных контроллеров SSD остаётся существенной проблемой. При смешивании операций чтения и записи в одной очереди скорость большинства твердотельных накопителей потребительского уровня заметно просаживается. Это стало поводом для проведения отдельного исследования, в рамках которого мы тестируем, как работают SSD при необходимости обработки смешанных последовательных операций. Следующая диаграмма демонстрирует наиболее характерный для десктопов случай, когда соотношение количества операций чтения и записи составляет 4 к 1.
Как следует из приведённой диаграммы, несмотря на своё трёхъядерное строение, контроллеры Samsung пока не научились эффективно работать со смешанными операциями чтения и записи. Если к последовательному чтению подмешивается второй поток, инициирующий запись, то скорость Samsung 850 Pro падает ниже уровня, задаваемого Crucial M550 и OCZ Vector 150. Иными словами, смешанная нагрузка ставит новинку Samsung, демонстрирующую в большинстве тестов просто выдающиеся результаты, в не самое выгодное положение.
Следующий график даёт более развёрнутую картину производительности при смешанной нагрузке, показывая зависимость скорости SSD от того, в каком соотношении приходят на него операции чтения и записи.
Чем больше смешиваются операции чтения и записи, тем ниже оказывается производительность Samsung 850 Pro. Соответствующая этому флеш-приводу кривая имеет явную U-образную форму, что говорит о плохой оптимизации контроллера Samsung MEX для работы в дуплексном режиме. Впрочем, такое поведение — бич практически любых современных твердотельных накопителей для персональных компьютеров за исключением разве что OCZ Vector 150. Однако падение производительности Samsung 850 Pro на смешанных операциях доходит до двукратного размера, что несколько больше, чем у других флагманских SSD.
⇡ Деградация и восстановление производительности
Наблюдение за изменением скорости записи в зависимости от объёма записанной на диск информации — весьма важный эксперимент, позволяющий понять работу внутренних алгоритмов накопителя. В данном тесте мы загружаем SSD непрерывным потоком запросов на случайную запись 4-килобайтных блоков и попутно следим за той производительностью, которая при этом наблюдается. На приведённом ниже графике в виде точек отмечены результаты измерений моментальной производительности, которые мы снимаем ежесекундно, а чёрная линия показывает среднюю скорость, наблюдаемую в течение 30-секундного интервала.
В результате эксперимента получился вот такой образцово-показательный график. До заполнения полной ёмкости Samsung 850 Pro демонстрирует постоянную и высокую скорость записи, затем производительность начинает снижаться. Однако степень падения производительности не слишком высока, первое время скорость уменьшается с 90 всего до 70 тысяч IOPS и лишь потом плавно приближается к асимптоте, лежащей в районе 13 тысяч IOPS. Это значит, что и в использованном состоянии Samsung 850 Pro работает лучше других потребительских SSD, скорость записи у которых просаживается заметно сильнее. Хорошей иллюстрацией этого выступает тот факт, что за время нашего 2-часового теста выносливости мы смогли записать на Samsung 850 Pro 256 Гбайт в общей сложности 867 Гбайт данных. При проведении же аналогичного испытания с другими флагманскими флеш-приводами такой же ёмкости объём записанной информации обычно составляет около 700-720 Гбайт.
Обращает на себя внимание и то, насколько хорошо в Samsung 850 Pro соблюдается постоянство скорости записи. Даже после однократного заполнения разброса почти не видно, и это значит, что Samsung 850 Pro прекрасно впишется в тех применениях, где требования к постоянству производительности особенно высоки.
Впрочем, всё, что изображено на графике выше, — по большей части искусственная ситуация, интересная лишь для изучения особенностей контроллера, но не иллюстрирующая поведение SSD в реальной жизни в персональном компьютере. Что же действительно важно, так это то, как после такой деградации происходит восстановление производительности до первоначальных величин. Для исследования этого вопроса после завершения теста, приводящего к деградации скорости записи, мы выжидаем 15 минут, в течение которых SSD может попытаться самостоятельно восстановиться за счёт сборки мусора, но без помощи со стороны операционной системы и команды TRIM, и замеряем скорость. Затем на накопитель принудительно подаётся команда TRIM — и скорость измеряется ещё раз.
CrystalDiskMark — это популярное и простое тестовое приложение, работающее «поверх» файловой системы, которое позволяет получать результаты, легко повторяемые обычными пользователями. И то, что выдаёт этот бенчмарк, с качественной точки зрения почти не отличается от показателей, которые были получены нами в тяжёлом и многофункциональном пакете IOmeter. Почти при всех вариантах нагрузки Samsung 850 Pro оказывается в числе лидеров, причём на случайных операциях чтения без очереди запросов его производительность даже заметно выше, чем у прочих флагманских SSD других фирм. Исключение лишь одно — случайная запись без очереди запросов: здесь Samsung 850 Pro проигрывает OCZ Vector 150 и Crucial M550. Впрочем, вряд ли эту неудачу рассматриваемого флеш-диска нужно принимать близко к сердцу — подобная нагрузка при типичном десктопном использовании возникает очень-очень редко.
⇡ PCMark 8 2.0, реальные сценарии использования
Тестовый пакет Futuremark PCMark 8 2.0 интересен тем, что он имеет не синтетическую природу, а напротив — основывается на том, как работают реальные приложения. В процессе его прохождения воспроизводятся настоящие сценарии-трассы задействования диска в распространённых десктопных задачах и замеряется скорость их выполнения. Текущая версия этого теста моделирует нагрузку, которая взята из реальных игровых приложений Battlefield 3 и World of Warcraft и программных пакетов компаний Abobe и Microsoft: After Effects, Illustrator, InDesign, Photoshop, Excel, PowerPoint и Word. Итоговый результат исчисляется в виде усреднённой скорости, которую показывают накопители при прохождении тестовых трасс.
Производительность в PCMark 8 — один из важнейших параметров для понимания того, насколько хорош тот или иной накопитель в реальном использовании. И если опираться на полученные здесь показатели, то напрашивается вывод о том, что Samsung 850 Pro, который поражал нас высочайшими результатами в разнообразных синтетических тестах, при реальной работе в приложениях оказывается совсем не таким быстрым SSD, как это представлялось вначале. Он не только проигрывает скоростной 480-гигабайтной версии Intel 730, но и уступает своему предшественнику — Samsung 840 Pro. Честно говоря, такое положение дел кажется несколько неестественным и не согласующимся с остальными тестами. Поэтому возникает подозрение, что проблема заключается, например, в каких-то неудачных программных оптимизациях, которые могут быть исправлены в будущих версиях прошивок.
Впрочем, интегральный результат PCMark 8 нужно дополнить и показателями производительности, выдаваемыми флеш-дисками при прохождении отдельных тестовых трасс, которые моделируют различные варианты реальной нагрузки. Дело в том, что при разной нагрузке тестируемые флеш-приводы ведут себя немного по-разному.
Получается, что у Samsung 850 Pro есть сразу несколько проблемных приложений, результаты в которых тянут общий показатель PCMark 8 вниз. Это — Microsoft Word, Battlefield 3, Adobe Photoshop при работе с «тяжёлыми» изображениями, Adobe Illustrator и Adobe AfterEffects. Перечисленные приложения характерны тем, что нагрузка в них носит явно неоднородный характер с преобладающими операциями чтения, но подмешиваемые к ним операции записи серьёзно снижают именно скорость чтения. Подобную ситуацию мы видели в тестах смешанной нагрузки, и здесь она проявилась в результатах теста, основанного на реальных задачах.
⇡ Тестирование выносливости
Результаты тестирования выносливости рассматриваемого накопителя приведены в отдельном специальном материале «Ресурсные испытания SSD ».
⇡ Выводы
С недавних пор появление каждого нового твердотельного накопителя Samsung — это маленькая революция. Компания последовательно внедряет принципиально новые технологии и наращивает производительность собственных решений, предлагая с каждым разом всё больше и больше. И Samsung 850 Pro не стал исключением: фактически он оказался самым лучшим накопителем с интерфейсом SATA 6 Гбит/с, который нам доводилось видеть.
Впрочем, объявить о том, что новинка вывела быстродействие потребительских SSD на какой-то новый уровень, мы не можем. На самом деле, обеспечиваемое ей преимущество носит чисто формальный характер. Но вины корейцев здесь нет, производительность Samsung 850 Pro совершенно явно упирается в возможности интерфейса. То же, что внутри него скрыта немалая мощность, можно увидеть разве только по скорости случайного чтения 4-килобайтными блоками, при которой преимущество новинки перед прочими флагманскими SSD составляет порядка 6-7 процентов.
Однако, несмотря на эфемерность превосходства новой модели над другими флагманскими флеш-дисками, Samsung совершенно не постеснялась установить на свой новый SSD откровенно завышенные цены. Современные бюджетные твердотельные накопители, такие как Crucial MX100 , стоят сегодня почти вдвое меньше. Конечно, в активе у Samsung 850 Pro есть 10-летняя гарантия, огромный ресурс записи, практически вечная флеш-память и отличное комплектное программное обеспечение, но стоит ли всё это такой переплаты? Сомнительно.
Получается, Samsung 850 Pro — совсем не массовый продукт, а элитное предложение для бескомпромиссных энтузиастов, которое может хорошо вписаться в систему на базе процессора Haswell-E , оснащённую видеокартами вроде GeForce Titan Z , но не более того. Если же речь идёт о комплектации достаточно стандартной настольной или мобильной системы, то вместо Samsung 850 Pro нетрудно подобрать более привлекательные с точки зрения соотношения цены и производительности варианты, лишь незначительно уступающие в скорости работы.
В итоге наибольший интерес Samsung 850 Pro вызывает не с практической, а с технологической точки зрения, ведь это — первый твердотельный накопитель, в котором нашла применение трёхмерная флеш-память, которая в течение нескольких ближайших лет должна стать повсеместно применяемым решением. В теории такая память позволяет существенно поднять скорость работы и заметно снизить стоимость SSD, но пока обе эти возможности так и остались нереализованными. Производительность упёрлась в полосу пропускания интерфейса SATA 6 Гбит/с, а цена получилась высокой из-за того, что Samsung 850 Pro — это лишь пилотный продукт. То есть оценить V-NAND по достоинству пока очень затруднительно, однако Samsung смогла нас заинтриговать . И теперь мы с нетерпением ждём появления следующих SSD этого производителя, построенных на той же памяти, но хотя бы переведённых на шину PCI Express.
If you want an SSD with incredible speed and endurance, the Samsung SSD 850 PRO gives you both and more. Powered by Samsung V-NAND, it’s designed to handle heavy workloads on workstations and high-end computers with IT heavy users in mind. Plus, it boasts an industry leading 10-year limited warranty for client PCs. 
It all adds up to performance
The 850 PRO delivers a new level of performance beyond your expectations for sequential reads of up to 550 MB/s and random reads up to 100,000 IOPS. Plus, achieve over 2x* faster performance with RAPID mode enabled by Magician software to processes data on a system level using DRAM as cache. *These results were determined by PCMARK ® 7 testing with scores of 7,864 and 20,172 with RAPID mode off and on using a 4TB drive.
Elevate the endurance level
With heavy workloads, endurance is everything. The 850 PRO is a game changer, withstanding up to 600 terabytes written (TBW) and backed by a 10-year limited warranty.* Dynamic Thermal Guard protects it from overheating while an AES 256-bit hardware-based encryption engine secures your data and is compliant with TCG™ Opal standards and IEEE ® 1667 protocol. *10-year warranty or TBW (256 GB: 150 TBW, 512 GB/ 1 TB: 300 TBW, 2 TB: 450 TBW, 4 TB: 600 TBW), whichever comes first.
Seamless, synergistic integration
Leverage our world-class integration expertise. Samsung designs every component of the SSD in house, including the V-NAND flash memory, controller, DRAM and firmware - all fine-tuned to work in perfect synergy.
3 года назад
повелся на зум и на яркие цвета на дисплее,видео снимает хорошо,стерео-звук тоже на высоте
4 года назад
1. В основном хорошее качество снимков. 2. Быстрая работа (включение и фокусировка). 3. Отличный зум (Даже с самолёта хорошие снимки получались). 4. Приятное разнообразие режимов фотосъёмки. 5. Как Smart камера содержит много функций, правда мной изредка использовался Wi-Fi для передачи фотографий, никогда не пользовался GPS. 6. Фотоаппарат выдержал много путешествий и сделал 18766 фотографий.
5 лет назад
Небольшой, с учетом своего зума; превосходная стабилизация, при съемке видео на дальнем конце, как будто на штативе, качественный стерео, адекватная регулировка уровня звука, на концертах хорошо справляется с перегрузом, четкость на всех положениях зума, быстрая фокусировка, приличные снимки в темное время суток без вспышки, очень хорошая передача телесных оттенков, баланс белого практически идеален даже в сложных условиях, долгая батарея, могу положить на две недели, а потом опять пользоваться (Wi-Fi, GPS выключены). Возможность при видеосъемке делать фото, в полном(!) разрешении, правда, всего 6 фоток.
5 лет назад
Компактный, лёгкий, большой зум. Удобно управлять зумом. Широкоугольный объектив с хорошей светосилой и приличным диаметром.
5 лет назад
хороший зум неплохое для цены качество снимков
6 лет назад
Уже писали. Кроме того много ручных режимов. Гарантия 3 года.
6 лет назад
Прежде всего-быстрота его работы,хорошо распознает условия съемки,матрица ВSI выручает при слабом освещ.
6 лет назад
Зум, конечно,много разных функций и режимов, также ручные настройки,внешний вид.
7 лет назад
Огромный зум, запись FULL HD, Яркий Экран, Компактный (относительно).
7 лет назад
1.куча разных наворотов 2.21х зум. 3.Full HD видео. 4.GPS 5.WiFi 6.Экран AMOLED . 7.Двойной стабилизатор изображения.
3 года назад
пожалел выброшенных денег,когда покупал-стоил дороговато,до того пользовался Сонькой,небо и земля,даже без лишних и ненужных наворотов типа джипиэрэс и вайфая....и да,как и у всех,самостоятельное переключение аппарата режимов работ,довело меня до бешенства,в итоге долбанул об стену,аминь!
4 года назад
Недостатки: 1. Тяжеловато фотографировать ночью при малом количестве освещения. 2. Сильное искажение фотографий по краям при наклоне объектива, например, когда фотографировались высокие здания. Неисправности: 1. Первым сбоем в работе (примерно после 1,5 года) был сбой контроля яркости при съёмке в режиме Smart, фотографии при нормальном освещении неестественно затемнялись. 2. Недолго живущим оказалось колёсико смены режимов, через 2 года стало само прокручиваться, меняя режимы (этот недочёт попортил много нервов, а замена оказалась дорогой). 3. Плохая защищённость линз от пыли, спустя 2,5 года пыль попала между линз и долго не выходила оттуда, мешая фотографировать (искупавшись в речке, ил прекрасно наблюдался между линзами, хотя нырнув фотоаппарат был выключен).
5 лет назад
Голубой уходит в бирюзу, небо немного неестественно, при зуммировании и одновременной попыткой переключится в видео зависает; в комплекте нет отдельного зарядного устройства (для аккумулятора, только через сам аппарат), длительность видео ограничена 20 минутами. Макро как такого практически нет, это если только приближенные объекты на размытом фоне получать. Настройки приходится делать через меню, в том числе переключение на макро, что долго.
5 лет назад
Слабая батарея - хватает не более чем 300 кадров без всяких вспышек - особенно раздражает в музеях. Фокусировка не быстрая, на х19-21 практически не работает. В сложных условиях съёмки (темнота, световые пятна под листвой, особенно при облачности) не помогают даже относительно большой объектив и BSI CMOS - никакого сравнения с Kodak Z981. Сильный эффект "рыбьего глаза" из-за 28 мм объектива. Мёртвые цвета - никакого сравнения с фотобрендами (Kodak, Konica Minolta) и т.п. Быстро начал сбоить переводчик режимов съёмки - нажимаешь на кнопку спуска, а вместо этого переключаются режимы. Очень медленно заряжается вспышка. Нет спортрежима.
5 лет назад
автофокус медленный, а зачастую вообще не может настроиться из-за плохого автофокуса видео получается не очень видео с большим количеством кадров надо снимать только под прожектором) постоянно мерцает ужасное меню, которое часто дублируется gps настраивается очень долго поэтому у меня мало снимков с меткой очень неудобная работа с wifi в итоге почти не пользовался (нельзя даже на компьютер скинуть все фотографии, надо выделять их по одной) снимки получаются только при очень хорошем освещении
6 лет назад
Не может сфокусироваться. Не читате карты больше 1 Гб. Постоянные глюки самопроизвольно переходит с режима на режим. Очень быстро разряжается. Непонятно как перепрошивать. Если честно то качество сборки хоть и супер но все время создается впечатление что очень хрупкая аппаратура. Все время боишься уронить, так как аппарат угловатый какой-то.
6 лет назад
особо нет
6 лет назад
Аккумулятор который нужно вынимать из фотоаппарата постоянно, а то он разряжается-это дикий провал и его никак не исправишь - я уже все перепробывала -от настроек и прошивки это не зависит.
7 лет назад
ИСКРИВЛЕНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ БЕСИТ по полной, достаточно взять и просто сфоткать человека без зума и всё станет на свои места. Голова вытянутая, ноги в разные стороны- франкенштейн! Приходится принаравливаться и фоткать помещая объект строго в центр. Когда обнаружил данный баг - было уже поздно сдавать, приходится терпеть. Запись видео конечно не на высшем уровне, шум моторчиков отчётливо слышен при просмотре видео. Качество звука отвратительное. Вспышка это вообще что то с чем то, если не придерживать при выдвижении, то кажется что она скоро сломается, на автомате оооочень редко включает, приходится пользоваться ручными настройками. Размытость изображений очень сильная, шумы со всех сторон без вспышки, фоткаю со вспышкой даже днём. GPS на любителя, использовать его как навигатор всё равно никт
7 лет назад
1.Аккумулятор разряжается за ночь. 2.Функция HDR фото сырая
